[发明专利]在发光器件内制造高反射欧姆接触的方法

权利要求书

1.一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：

在生长衬底上制备多层半导体结构，其中所述多层半导体结构包括第一掺杂半导体层，第二掺杂半导体层，以及多量子阱(MQW)有源层；在所述第一掺杂半导体层上形成接触辅助金属层；对所述多层结构进行退火，以激活所述第一掺杂半导体层；去除所述接触辅助金属层；在所述第一掺杂半导体层上形成反射欧姆接触金属层；形成与所述反射欧姆接触层连接的邦定层；将所述多层结构与导电衬底邦定；形成与所述导电衬底连接的第一电极；在所述第二掺杂半导体层上形成第二电极。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于所述生长衬底包括由沟槽和台面组成的预定图案。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于所述第一掺杂半导体层是p-型掺杂半导体层。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于所述p-型掺杂半导体层包括掺杂Mg的GaN。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于所述接触辅助金属层包括Pt或Pd合金，其中所述合金包括下列材料中的至少一种：Ru，Rh，Pd，Os，Ir，Zn，以及Mg。

6.根据权利要求1的方法，其特征在于所述接触辅助金属层的厚度至少是60埃。

7.根据权利要求1的方法，其特征在于用于所述接触辅助金属层退火工序的温度在200～1000℃之间，其中所述退火过程大约进行5min，且所述退火气氛包括下列气氛的至少一种：N₂，O₂，大气，真空以及惰性气体。

8.根据权利要求1的方法，其特征在于去除所述接触辅助金属层包括化学刻蚀和/或机械研磨所述接触辅助金属层。

9.根据权利要求1的方法，其特征在于所述反射欧姆接触金属层的厚度至少是100埃。

10.根据权利要求1的方法，其特征在于所述有源层包括下列材料的至少一种：InGaN，InGaAlN，InGaAlP和IaGaAlAs。

11.根据权利要求1的方法，其特征在于所述导电衬底包括下列材料的至少一种：Si，GaAs，GaP，Cu和Cr。

12.一种基于在发光器件内制造高反射欧姆接触的方法制造发光器件，该方法包括：

在生长衬底上制造多层半导体结构，其中所述多层半导体结构包括第一掺杂半导体层，第二掺杂半导体层，以及多量子阱(MQW)有源层；在所述第一掺杂半导体层上形成接触辅助金属层；对所述多层结构进行退火，以激活所述第一掺杂半导体层；去除所述接触辅助金属层；在所述第一掺杂半导体层上形成反射欧姆接触金属层；形成与所述反射欧姆接触层连接的邦定层；将所述多层结构与导电衬底邦定；形成与所述导电衬底连接的第一电极；在所述第二掺杂半导体层上形成第二电极。

13.根据权利要求12的发光器件，其特征在于所述生长衬底包括由沟槽和台面组成的预定图案。

14.根据权利要求12的发光器件，其特征在于所述第一掺杂半导体层是p-型掺杂半导体层。

15.根据权利要求14的发光器件，其特征在于所述p-型掺杂半导体层包括掺杂Mg的GaN。

16.根据权利要求12的发光器件，其特征在于接触辅助金属层包括Pt或Pd合金，其中合金包括下列材料中的至少一种：Ru，Rh，Pd，Os，Ir，Zn，以及Mg。

17.根据权利要求12的发光器件，其特征在于接触辅助金属层的厚度至少是10埃。

18.根据权利要求12的发光器件，其特征在于用于所述接触辅助金属层退火工序的温度在200～1000℃之间，其中所述退火过程大约进行5min，且所述退火气氛包括下列气氛的至少一种：N₂，O₂，大气，真空以及惰性气体。

19.根据权利要求12的发光器件，其特征在于去除所述接触辅助金属层包括化学刻蚀和/或机械研磨所述接触辅助金属层。

20.根据权利要求12的发光器件，其特征在于所述反射欧姆接触金属层的厚度至少是100埃。