[发明专利]纳米膜保护和释放基质有效
| 申请号: | 200880128157.5 | 申请日: | 2008-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN101978472A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
| 发明(设计)人: | T·E·米勒;D·M·斯多里;B·S·基切尔 | 申请(专利权)人: | 纳米表面技术有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/50;B32B15/01 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 林柏楠;张蓉珺 |
| 地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 保护 释放 基质 | ||
1.一种制备非保角无定形金属氧化物表面膜的方法,其包括:
(a)抽空装有基材的加热的反应室;
(b)将氧源快速引入抽空的室中;
(c)释放真空;
(d)将挥发性金属基前体引入密闭的反应室中;和
重复步骤(a)-(d)足以使氧源与金属前体在基材表面上反应以形成非保角无定形金属氧化物表面膜的次数。
2.权利要求1的方法,其中所述氧源为水或过氧化氢。
3.权利要求1的方法,其中所述膜形成为亚纳米厚度至多500nm。
4.权利要求1的方法,其中所述基材为金属、聚合物、硅、陶瓷金属、不锈钢、钛、钛合金、镁合金或钴合金聚碳酸酯、聚氯乙烯(PVC)或316L不锈钢、钛品级1、钛品级2钛品级1、钛品级2、可生物降解或生物相容性聚合物或共聚物。
5.权利要求1的方法,其中所述金属基前体为异丙醇钛或三甲基铝。
6.权利要求5的方法,其中反应室温度为165℃或以下用于由异丙醇钛前体形成二氧化钛膜。
7.权利要求5的方法,其中反应室温度为600℃或以下用于由三甲基铝前体形成氧化铝膜。
8.权利要求5的方法,其中反应室温度为165℃或以下用于由三甲基铝前体形成二氧化钛膜。
9.通过权利要求1的方法制备的原子等离子体沉积(APD)的无定形多孔非保角的薄的二氧化钛或氧化铝表面膜。
10.权利要求9的APD膜,其包含医疗器材的表面。
11.权利要求9的APD膜,其为在附着在下层基材上的生物分子上的受控释放表面,其中所述生物分子以时间依赖性方式洗脱。
12.一种受控释放表面,其包含:
沉积或附着在基材表面上的生物分子;和
在附着的生物分子上的原子等离子体沉积(APD)的非保角多孔二氧化钛或氧化铝膜;
任选多层沉积的生物分子,其各自涂覆有所述二氧化钛或氧化铝膜,其中生物分子以时间依赖性方式由非保角多孔钛或氧化铝膜中洗脱。
13.一种通过权利要求1的方法通过在0.2-10秒输入内将各个前体引入反应室中而制备的100-500nm厚的原子等离子体沉积(APD)的纳米粗糙无定形非保角沉积的薄的二氧化钛或氧化铝表面膜。
14.权利要求13的APD膜,其包括支架、导管、可植入导线、可植入医疗器材、整形外科器材、小袋或网袋的表面。
15.一种人造皮肤,其包含通过权利要求1的方法在生理相容性可溶基材上制备的40-60nm厚的原子层沉积(APD)的无定形非保角多孔二氧化钛或氧化铝涂层。
16.权利要求13的(APD)无定形二氧化钛膜,其吸引任一种或多种选自成骨细胞、内皮细胞、齿龈成纤维细胞和牙周成纤维细胞的细胞。
17.在不锈钢基材上的原子等离子体沉积(APD)的无定形多孔二氧化钛薄膜,其粘附成骨细胞、内皮细胞、牙龈成纤维细胞和与所述表面相比在或聚碳酸酯基材上的细胞。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





