[发明专利]图案化表面部件中的厚膜糊料

权利要求书

1.将厚膜糊料沉积到具有侧壁的通孔中的方法，所述方法包括

(a)提供包括基底层和外层的层叠，所述外层设置在所述基底层的表面上，或设置在居中位于外层和基底层之间的一个或多个层的表面上，其中所述外层包括多个通孔，所述通孔穿过外层和任何中间层以暴露基底层的表面；

(b)用光致抗蚀剂材料涂覆外层以跨越外层和在通孔中提供光致抗蚀剂材料层；

(c)固化所述光致抗蚀剂材料；

(d)广泛照射所述光致抗蚀剂材料以将下列材料转化成可溶形式：(i)外层上的固化的光致抗蚀剂材料，和(ii)下至通孔中所选深度的光致抗蚀剂材料层的固化的光致抗蚀剂材料；

(e)使所述光致抗蚀剂材料显影以将固化的光致抗蚀剂材料(i)从外层上移除，和(ii)从下至所述层的所选深度的通孔内移除，其中从所述通孔内移除光致抗蚀剂材料暴露基底层的表面；

(f)用包含溶剂的厚膜糊料涂覆外层以跨越外层和在通孔中提供厚膜糊料层；

(g)在通孔内在所述厚膜糊料接触光致抗蚀剂材料的位置，用溶剂溶解所述光致抗蚀剂材料；和

(h)使厚膜糊料显影以将其从除了厚膜糊料已接触光致抗蚀剂材料的那些位置之外的所有位置上移除。

2.根据权利要求1的方法，其中从下至所选深度的通孔内移除光致抗蚀剂材料使得光致抗蚀剂材料残留在通孔的一个或多个侧壁与基底层表面的结点处。

3.根据权利要求1的方法，其中从下至所选深度的通孔内移除光致抗蚀剂材料将光致抗蚀剂材料从基底层的表面的外接区域的内部移除。

4.根据权利要求1的方法，其中厚膜糊料已在通孔的一个或多个侧壁与基底层的表面的结点处接触光致抗蚀剂材料。

5.根据权利要求1的方法，其中所述层叠包括一个或多个位于基底层和外层之间的中间层，并且所述通孔穿过中间层以暴露基底层的表面。

6.根据权利要求1的方法，其中所述层叠在与外层相对的基底层的侧面上包括基板。

7.根据权利要求5的方法，其中至少一个中间层为导电的。

8.根据权利要求5的方法，其中至少一个中间层为介电的。

9.根据权利要求1的方法，其中所述厚膜糊料包括电子发射材料。

10.根据权利要求9的方法，其中所述电子发射材料包括碳纳米管。

11.根据权利要求1的方法，所述方法还包括以下步骤：将作为柔性膜前体的材料涂覆到外层上以在外层上和在通孔中提供前体材料层，聚合或固化所述前体材料以形成柔性膜，并移除所述柔性膜。

12.根据权利要求1的方法，其中所述光致抗蚀剂材料选自酚醛树脂、DNQ/酚醛树脂抗蚀剂、丙烯酸类聚合物、具有叔丁基侧基的聚合物、聚苯乙烯、以及乙基纤维素。

13.根据权利要求1的方法，所述方法还包括将所述层叠安装在电子器件中。

14.电子发射设备，所述电子发射设备包括(a)基板；(b)设置在所述基板上的第一导电层；(c)设置在所述第一导电层上的介电层；(d)设置在所述介电层上的第二导电层；(e)多个通孔，每个通孔均具有一个或多个侧壁并且穿过第二导电层和介电层以暴露第一导电层的表面；和(f)设置在通孔的一个或多个侧壁与第一导电层的表面的结点处的电子发射材料。

15.根据权利要求14的设备，其中所述第一导电层的表面的外接区域内部不含或基本上不含电子发射材料。

16.根据权利要求14的设备，其中所述电子发射材料包括碳纳米管。

17.电子器件，所述电子器件包括多层的层叠、以及光致抗蚀剂材料与厚膜糊料材料的混合物的层的表面的一个或多个暴露部分上的图案化沉积。

18.根据权利要求17的器件，其中所述沉积图案包括进入到所述层叠的层中的一排通孔内的沉积。