[发明专利]用于控制衬底污染的方法和设备

权利要求书

1.一种用于保持其中容纳有晶片的晶片容器的外壳，所述外壳具有接收晶片容器的开口，并且具有两个吹扫系统，每个所述吹扫系统分别提供不同浓度或组成的吹扫气，一个所述吹扫系统用于所述晶片容器的内部，一个所述吹扫系统用于将吹扫气导向所述晶片容器的限定壁的外表面。

2.权利要求1所述的外壳，其中所述外壳是可移动的，用以在制造设备的范围内传送晶片。

3.一种用于保持其中容纳有晶片的晶片容器的外壳，所述外壳可用于接收晶片容器，并且具有遮蔽件，所述遮蔽件是可移动的，用以放置和移除所述遮蔽件，并且所述遮蔽件至少部分延伸到所述晶片容器上以在所述遮蔽件和所述晶片容器之间提供吹扫气，以利用吹扫气清洗所述晶片容器的容纳壁的外表面。

4.一种用于保持其中容纳有晶片的多个晶片容器的外壳，所述外壳具有用于各单独晶片容器的各单独接收区域，每个接收区域具有一个用以对所述晶片容器进行内部吹扫的吹扫出口和一个用于对所述容器的外部进行吹扫的出口。

5.权利要求4所述的外壳，其中所述内部吹扫的吹扫出口与氮气源连接并且用于吹扫所述容器的外部的出口与洁净干燥空气源连接。

6.一种用于保持其中容纳有晶片的多个晶片容器的外壳，所述外壳具有用于各单独晶片容器的各单独接收区域，每个接收区域具有一个用于对所述晶片容器进行内部吹扫的吹扫出口和一个用于对所述容器的外部进行吹扫的出口，所述外壳还具有环境空气清洁系统。

7.一种利用衬底容器中的受控环境来减少晶体形成污染物的方法，所述方法包括以下步骤：

将易于形成晶体的衬底封闭在密封且可打开的衬底容器中；

用氮吹扫所述容器的内部；

用至少洁净的干燥空气为所述容器提供外表面吹扫气体清洗；和

将外部清洗限制在所述外表面的几个英寸内。

8.权利要求7所述的方法，其中吹扫所述容器的所述内部的步骤包括将氮气注入所述内部。

9.权利要求7所述的方法，其中权利要求7的步骤包括利用洁净的干燥空气进行所述外表面吹扫气体清洗。

10.权利要求7所述的方法，包括将所述衬底容器封闭在储料器中的步骤，所述储料器具有用于实现所述内部吹扫和所述外表面吹扫气体清洗的吹扫配件。

11.一种用于为晶片容器提供双重吹扫的系统，其包括内部吹扫和外部晶片容器表面吹扫，其中所述外部表面吹扫。

12.一种用于对晶片容器的容纳壁提供外部吹扫清洗的系统，所述系统包括靠近所述晶片容器的吹扫出口。

13.一种晶片容器，其具有用于沿容纳壁的外表面聚集外部吹扫的遮蔽件。

14.一种晶片容器，其具有使吹扫气沿所述晶片容器的外表面偏转的吹扫出口。

15.一种晶片容器，其具有一对吹扫入口部，一个吹扫入口部用于吹扫所述晶片容器的内部，一个吹扫入口部用于吹扫限定所述内部的壁的外表面。

16.一种晶片容器，其具有吹扫导管，用于将吹扫气导向所述容器的容纳壁的外表面。

17.一种晶片容器，其具有吹扫导管，所述吹扫导管在容纳壁的外表面上延伸以输送和限制吹扫气来清洗所述晶片容器的所述容纳壁的外表面。

18.一种晶片容器，其具有可密封在一起以限定保持晶片的内部的门和壳部，所述壳部具有双壁和用于将吹扫气注入其中的端口。

19.权利要求18所述的晶片容器，其中所述门具有其中的闩锁机构和开放的内部，以及将吹扫气注入所述门的所述内部中的端口。

20.一种遮蔽件，其与晶片容器的外部形状的一部分相一致，用于沿所述晶片容器的外表面限定空间，由此可以将吹扫气注入到所述空间中，从而可清洗所述晶片容器的容纳壁的外表面。

21.一种使密封晶片容器中的晶片的雾度生长和污染最小化的方法，所述方法包括以下步骤：

为所述晶片容器提供内部吹扫；

通过专用吹扫出口提供指向所述晶片容器的外壁的外部吹扫。