[发明专利]具有化合价修正吸附物区域的光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种光电探测器，包括：

探测器区域；

第一接触区域，形成与所述探测器区域的分界面；以及

所述第一接触区域和所述探测器区域之间的第一化合价修正吸附物区域。

2.如权利要求1所述的光电探测器，还包括第二接触区域，形成与所述探测器区域的分界面，其中，所述第二接触区域与所述第一接触区域电隔离。

3.如权利要求2所述的光电探测器，还包括所述第二接触区域和所述探测器区域之间的第二化合价修正吸附物区域。

4.如前述任意一项权利要求所述的光电探测器，其中，所述第一接触区域设置于所述探测器区域上方。

5.如权利要求1-3中任意一项所述的光电探测器，其中，所述第一接触区域和所述第一化合价修正吸附物区域均形成于所述探测器区域内。

6.如前述任意一项权利要求所述的光电探测器，其中，所述第一接触区域与所述探测器区域相接触。

7.如权利要求2-6中任意一项所述的光电探测器，其中，所述第二接触区域设置于所述探测器区域上方。

8.如权利要求3-6中任意一项所述的光电探测器，其中，所述第二接触区域和所述第二化合价修正吸附物区域均形成于所述探测器区域内。

9.如权利要求2-8中任意一项所述的光电探测器，其中，所述第二接触区域与所述探测器区域相接触。

10.如前述任意一项权利要求所述的光电探测器，还包括：

设置于所述探测器区域上方的钝化层，所述钝化层具有第一沟槽，其中，所述第一接触区域和所述第一化合价修正吸附物区域均设置于所述第一沟槽内。

11.如权利要求2所述的光电探测器，还包括：

设置于所述探测器区域上方的钝化层，所述钝化层具有第一沟槽和第二沟槽，使得所述钝化层位于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的区域与所述钝化层的其余部分不连续，

其中，所述第一接触区域和所述第一化合价修正吸附物区域均设置于所述第一沟槽内，并且其中，所述第二接触区域设置于所述第二沟槽内。

12.如权利要求3-9中任意一项所述的光电探测器，还包括：

设置于所述探测器区域上方的钝化层，所述钝化层具有第一沟槽和第二沟槽，使得所述钝化层位于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的区域与所述钝化层的其余部分不连续，

其中，所述第一接触区域和所述第一化合价修正吸附物区域均设置于所述第一沟槽内，并且其中，所述第二接触区域和所述第二化合价修正吸附物区域均设置于所述第二沟槽内。

13.如前述任意一项权利要求所述的光电探测器，还包括：

波导层，其中，所述探测器区域设置于所述波导层上方。

14.如权利要求13所述的光电探测器，还包括：

设置于所述探测器区域和所述波导层之间的缓冲层。

15.如权利要求14所述的光电探测器，还包括：

设置于所述缓冲层和所述波导层之间的柔性层。

16.如权利要求13-15中任意一项所述的光电探测器，还包括：

设置于所述波导层上方并邻近于所述探测器区域的相对边缘的隔离区域。

17.如权利要求13-16中任意一项所述的光电探测器，还包括：

隔离层，其中，所述波导层设置于所述隔离层上方。

18.如权利要求10-16中任意一项所述的光电探测器，还包括：

设置于所述第一接触区域上方并与所述第一沟槽相接触的第一电极。

19.如权利要求11-17中任意一项所述的光电探测器，还包括：

设置于所述第一接触区域上方并与所述第一沟槽相接触的第一电极，以及设置于所述第二接触区域上方并与所述第二沟槽相接触的第二电极。

20.如权利要求18或19所述的光电探测器，其中，所述第一电极包括至少第一导电材料和第二导电材料，其中，所述第一导电材料与所述第一接触区域和所述第一沟槽相接触。