[发明专利]电子元件装置的制造方法

权利要求书

1.一种电子元件装置的制造方法，具备如下工序：

准备具有第一电极的第一电子元件和具有第二电极的第二电子元件；

准备含有平均粒径1～100nm的金属纳米粒子、分散剂和分散媒质的金属纳米粒子浆；

在所述第一电极和所述第二电极的至少一方上施加所述金属纳米粒子浆的赋浆工序；

在将所述金属纳米粒子浆置入在所述第一电子元件和所述第二电子元件之间的状态下，使所述第一电子元件和所述第二电子元件相互对好位置，从而使所述第一电极和所述第二电极相互面对；

在使所述第一电子元件和所述第二电子元件相互接近的方向上施加负荷，从而使处于所述第一电极和所述第二电极间的所述金属纳米粒子浆压缩变形至其压缩变形极限厚度；

在等于或高于能够除掉含在所述金属纳米粒子浆内的所述分散剂和所述分散媒质的温度而低于构成所述金属纳米粒子的金属的熔点的温度下加热，由此来烧结所述金属纳米粒子，从而使所述第一电极和所述第二电极相互接合。

2.根据权利要求1所述的电子元件装置的制造方法，其特征在于所述第一电子元件具有多个所述第一电极，所述第二电子元件具有多个所述第二电极，在使所述第一电子元件和所述第二电子元件相互对好位置时，相互面对的各所述第一电极和所述第二电极的各个间隔存在互不相等的情况，在所述赋浆工序中所施加的所述金属纳米粒子浆的厚度等于或大于所述压缩变形极限厚度加上所述间隔的最大值与最小值之差的厚度。

3.根据权利要求1所述的电子元件装置的制造方法，其特征在于在所述第一电极的周围形成用来防止所述金属纳米粒子浆扩散的围堰。

4.根据权利要求1所述的电子元件装置的制造方法，其特征在于在所述第二电极的周围形成用来防止所述金属纳米粒子浆扩散的围堰。

5.根据权利要求1至4任一项所述的电子元件装置的制造方法，其特征在于还具备如下工序：准备层压密封用的未硬化状态的片状树脂；在使所述第一电极和所述第二电极相互接合的工序后，用所述未硬化状态的片状树脂覆盖所述第一电子元件和所述第二电子元件的任一方；朝所述第一电子元件和所述第二电子元件方向对所述未硬化状态的片状树脂加压；使所述未硬化状态的片状树脂硬化。

6.根据权利要求5所述的电子元件装置的制造方法，其特征在于所述片状树脂含有粒径都等于或小于规定尺寸的填料，在对所述未硬化状态的片状树脂加压的工序中，控制对所述片状树脂的加压，以使覆盖所述第一电子元件和所述第二电子元件的任一方的所述片状树脂的最薄部分的厚度取决于填料的粒径。

7.根据权利要求1至4任一项所述的电子元件装置的制造方法，其特征在于还具备如下工序：准备底部填充密封用的未硬化状态的树脂；在使所述第一电极和所述第二电极相互接合的工序后，把所述未硬化状态的树脂施加到所述第一电子元件和所述第二电子元件中面积较小的一方的至少周围；使所述未硬化状态的树脂硬化。