[发明专利]基于蒽的可溶液加工的有机半导体有效
| 申请号: | 200880125355.6 | 申请日: | 2008-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN101926017A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
| 发明(设计)人: | 朱培旺 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/30 | 分类号: | H01L51/30;H01B1/20 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 张爽;樊卫民 |
| 地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 溶液 加工 有机半导体 | ||
1.一种涂料组合物,其包含:
(a)式(I)表示的小分子半导体
其中
各R1独立地为烷基、烷氧基、硫代烷基、羟烷基、杂烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、卤素、卤代烷基、三烷基甲硅烷基、噻吩基、甲酰基、酰基、烷氧羰基、羧基、氨基羰基、氨基磺酰基或它们的组合;
各n独立地为等于0、1、2或3的整数;并且
各R2独立地为烷基、烷氧基、烯基、芳基、杂芳基、芳烷基、杂烷基、杂芳烷基或羟烷基;
(b)绝缘聚合物;以及
(c)有机溶剂,
其中,基于所述涂料组合物的总重量,所述式(I)表示的小分子半导体和所述绝缘聚合物各自具有至少0.1重量%的溶解度。
2.根据权利要求1所述的涂料组合物,其中所述式(I)表示的小分子半导体包括:
3.根据权利要求1或2中任一项所述的涂料组合物,其中各个R2为具有最高至10个碳原子的烷基。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的涂料组合物,其中各个R1为具有最高至10个碳原子的烷基,并且各个R2为具有最高至10个碳原子的烷基。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的涂料组合物,其中各个R1为甲酰基或具有最高至10个碳原子的酰基,其中所述酰基是未取代的或者被卤素取代。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的涂料组合物,其中所述绝缘聚合物包括聚苯乙烯、聚(α-甲基苯乙烯)、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚乙烯基苯酚、聚(乙烯醇)、聚(醋酸乙烯酯)、聚氯乙烯、聚二氟乙烯、氰乙基普鲁兰多糖或聚(二乙烯基四甲基二硅氧烷-双(苯并环丁烯))。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的涂料组合物,其中所述有机溶剂包括(a)未取代的苯或至少由一个烷基取代的苯、(b)至少由一个卤素基团取代的烷烃、(c)至少由一个卤素基团取代的苯、(d)酮、(e)醚、(f)酰胺或(g)至少由一个烷氧基取代的苯。
8.一种包括半导体层的半导体器件,所述半导体层包含:
(a)式(I)表示的小分子半导体
其中
各R1独立地为烷基、烷氧基、硫代烷基、羟烷基、杂烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、卤素、卤代烷基、三烷基甲硅烷基、噻吩基、甲酰基、酰基、烷氧羰基、羧基、氨基羰基、氨基磺酰基或它们的组合;
各n独立地为等于0、1、2或3的整数;并且
各R2独立地为氢、烷基、烷氧基、烯基、芳基、杂芳基、芳烷基、杂烷基、杂芳烷基或羟烷基;以及
(b)绝缘聚合物。
9.根据权利要求8所述的半导体器件,其还包括邻近所述半导体层的导电层、介质层或其组合。
10.根据权利要求8或9中任一项所述的半导体器件,其中所述半导体器件包括有机薄膜晶体管。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的半导体器件,其还包括电极层,所述电极层包括彼此分开且均与所述半导体层接触的源极和漏极。
12.根据权利要求8至10中任一项所述的半导体器件,其还包括邻近所述半导体层的一个表面的导电层以及邻近所述半导体层的相对表面的介质层。
13.根据权利要求8至12中任一项所述的半导体器件,其中所述式(I)表示的小分子半导体包括:
14.根据权利要求8至13中任一项所述的半导体器件,其中所述绝缘聚合物包括聚苯乙烯、聚(α-甲基苯乙烯)、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚乙烯基苯酚、聚(乙烯醇)、聚(醋酸乙烯酯)、聚氯乙烯、聚二氟乙烯、氰乙基普鲁兰多糖或聚(二乙烯基四甲基二硅氧烷-双(苯并环丁烯))。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于3M创新有限公司,未经3M创新有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880125355.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:新型太阳能集热管
- 下一篇:太阳能热泵热水器的温度控制装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





