[发明专利]等离子体显示面板的制造方法、氧化镁晶体粉体的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及等离子体显示面板(PDP)及其制造方法，特别涉及适用于触发粒子释放层(电子释放层)所包含的氧化镁晶体粉体及其制造方法的有效技术。

背景技术

随着PDP的高清晰度化，由于像素数的增加使得选择决定显示单元的亮/灭的寻址动作的时间增大。为了抑制该时间增大，减小寻址放电用的电压(寻址电压)的脉幅是有效的。但是，从施加电压到放电发生的时间(放电延迟)存在偏差。因此，若寻址电压的脉幅过小，则即使施加了脉冲也可能不发生放电。该情况下，该显示单元在维持期间中不能正确点亮，导致画质劣化。

作为改善PDP的放电延迟的方法，存在日本特开2006-59786号公报(专利文献1)中所记载的技术，即，按照在相对配置的两个基板结构体之间的放电空间内露出的方式，设置氧化镁晶体层作为触发粒子释放层(电子释放层)。

专利文献1：日本特开2006-59786号公报

发明内容

对于所述氧化镁晶体层，作为获得更好的放电延迟改善效果的方法，根据由本发明人等过去提交的申请即日本特愿2007-124718，有在氧化镁晶体粉体中混合卤族元素进行烧成的技术。此外，根据同样由本发明人等过去提交的申请PCT/JP2007/68348，有在氧化气氛下对氧化镁晶体粉体进行热处理的技术。

但是，在使用以上技术热处理后的氧化镁晶体粉体中，有存在聚集(aggregation)块的情况。如果大的聚集块在PDP中的触发粒子释放层中存在，则存在因放电的扩散被妨碍而产生显示缺陷，和因单元之间的特性偏差而导致产生显示不均的情况。

作为消除聚集块的方法，有对热处理后的氧化镁晶体粉体使用研钵和研杵实施粉碎处理的方法，和在向面板进行湿式涂敷时对浆料实施超声波等分散处理的方法等。但这些方法中存在破坏氧化镁的结晶、损害放电延迟的改善效果的情况。

本发明鉴于以上课题完成，其目的是提供抑制热处理后氧化镁晶体粉体的聚集，同时实现放电延迟的改善效果的技术。

以下对本申请中公开的发明中具有代表性的方式的概要进行简单说明。即、本发明代表性的实施方式实现的PDP的制造方法，按照在释放空间内露出的方式配置有包含被高温加热处理的氧化镁晶体粉体的触发粒子释放层，该PDP的制造方法的特征为，在进行使作为原料的氧化镁晶体粉体的粒子群的形状、大小均匀化的前处理工序后，进行高温加热处理。

以下对根据本申请中公开的发明中具有代表性的方式而得的效果进行简单说明。即、根据本发明代表性的实施方式，由于高温加热时粒子群彼此的接触减少，能够在不损害放电延迟改善效果的前提下获得聚集得到抑制的氧化镁晶体粉体。通过配置包含该氧化镁晶体粉体的触发粒子释放层，能够实现同时达到改善放电延迟和抑制显示缺陷与显示不均的PDP。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1中对粒子群的形状、大小进行均匀化的前处理工序的样例的概要的图。

图2是表示本发明的实施方式1中包含前处理工序的氧化镁晶体粉体和触发粒子释放层的制造流程的图。

图3是表示本发明的实施方式2中对粒子群的形状、大小进行均匀化的前处理工序的样例的概要的图。

图4(a)、(b)是表示对粒子(粒子群)进行高温加热的情况下热粘接的状态的样例的图。

图5是对作为本发明的一实施方式的PDP的基本结构的一个例子，将其主要部分放大而表示分解立体结构的图。

图6是表示本发明的一实施方式的PDP中包含触发粒子释放层的正面基板结构体的截面结构的样例的图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。并且，在对实施方式进行说明的所有图中，同一部分原则上标记同一符号，不再进行重复说明。

<概要>

作为本发明的一实施方式的PDP的制造方法，在触发粒子释放层中，为了实现所述课题即同时实现热处理后的氧化镁晶体的聚集抑制和放电延迟改善效果，在氧化镁晶体粉体的热处理工序中，在进行热处理前，使作为原料的氧化镁晶体粉体的粒子群的形状、大小均匀化，由此使得高温加热处理时的粒子群彼此的接触减少。