[发明专利]具有低导通电阻的MOS器件

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体(MOS)器件，包括：

漏极区；

栅极区，所述栅极区环绕所述漏极区并在所述漏极区周围形成环；

多个源极区，所述多个源极区布置在所述栅极区周围，其中每个源极区位于所述漏极区的对应侧的对面；以及

多个体区，所述多个体区布置在所述栅极区周围，其中所述多个源极区中的一个或更多个将所述多个体区中的一个或更多个从所述栅极区分离。

2.如权利要求1所述的器件，其中所述栅极区在所述漏极区的周围形成闭环。

3.如权利要求1所述的器件，其中所述多个体区中没有一个体区与所述栅极区相邻。

4.如权利要求1所述的器件，

其中第一源极区与第一体区和第二体区相邻；

其中第二源极区与第三体区和第四体区相邻；

其中第三源极区与所述第三体区相邻；以及

其中第四源极区与所述第四体区相邻。

5.如权利要求4所述的器件，

其中所述第二源极区与所述第三源极区和所述第四源极区相邻；以及

其中所述第一源极区不与所述第二源极区、第三源极区和第四源极区中的任何一个相邻。

6.如权利要求1所述的器件，其中所述漏极区具有包括正方形、长方形、六边形和八边形中的一种形状的多边形形状。

7.如权利要求1所述的器件，其中所述多个体区布置在所述器件的一个或更多个角落中。

8.如权利要求1所述的器件，沟道区在所述栅极区的下面形成。

9.如权利要求8所述的器件，其中所述沟道区配置成使得电流从每个源极区流向所述漏极区。

10.如权利要求1所述的器件，其中所述器件为晶体管。

11.如权利要求1所述的器件，其中所述器件在基底上形成。

12.如权利要求11所述的器件，其中所述基底为硅基底，以及所述栅极区包括多晶硅。

13.如权利要求1所述的器件，其中所述器件为正方形双扩散的MOS(SQDMOS)。

14.如权利要求1所述的器件，

其中所述多个体区中的每一个具有至少一个体接点；其中所述多个源极区中的每一个具有至少一个源极接点；以及

其中所述漏极区具有至少一个漏极接点。

15.一种金属氧化物半导体(MOS)器件，所述器件在基底上具有形成为阵列的多个MOS晶体管单元，每个MOS晶体管单元包括：

漏极区；

栅极区，所述栅极区环绕所述漏极区并在所述漏极区周围形成环；

多个源极区，所述多个源极区布置在所述栅极区周围，其中每个源极区位于所述漏极区的对应侧的对面；以及

多个体区，所述多个体区布置在所述栅极区周围，其中所述多个源极区中的一个或更多个将所述多个体区中的一个或更多个从所述栅极区分离。

16.如权利要求15所述的器件，其中所述多个MOS晶体管单元之一的所述多个源极区中的至少一个与邻接MOS晶体管单元的对应源极区重叠。

17.如权利要求15所述的器件，其中所述多个MOS晶体管单元之一的栅极区与邻接MOS晶体管单元的栅极区相邻。

18.一种用于形成金属氧化物半导体(MOS)器件的方法，包括：

形成漏极区；

形成环绕所述漏极区的栅极区；

形成布置在所述栅极区周围的多个源极区，其中每个源极区在所述漏极区的对应侧对面形成；以及

形成布置在所述栅极区周围的多个体区，其中所述多个源极区中的一个或更多个将所述多个体区中的一个或更多个从所述栅极区分离。

19.如权利要求18所述的方法，其中形成所述体区进一步包括：

形成所述多个体区，使得所述多个体区中没有一个体区与所述栅极区相邻。