[发明专利]用于极高分辨率图案形成的扫描EUV干涉成像有效

专利信息
申请号: 200880123284.6 申请日: 2008-12-23
公开(公告)号: CN101910951A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 亨利·塞维尔 申请(专利权)人: ASML控股股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 用于 极高 分辨率 图案 形成 扫描 euv 干涉 成像
【权利要求书】:

1.一种器件制造方法,包括步骤:

(a)产生第一和第二极紫外(EUV)辐射束;和

(b)使用曝光单元以将所述第一和第二EUV辐射束投影到衬底上,使得所述第一和第二辐射束相互干涉,以在衬底的曝光场处曝光第一组平行线。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括步骤:

以等于90度或基本上等于90度的角旋转所述衬底;

产生第三和第四EUV辐射束;和

使用所述曝光单元以将所述第三和第四EUV辐射束投影到所述衬底上,使得所述第三和第四辐射束相互干涉,以在所述衬底的各个目标区域上曝光第二组平行线,其中所述第二组平行线基本上垂直于所述第一组平行线。

3.根据权利要求2所述的方法,还包括步骤:

修整由根据权利要求2所述的方法得到的图案以形成特征。

4.根据前述权利要求中任一个所述的方法,还包括步骤:

产生第三和第四EUV辐射束;和

使用所述曝光单元以将所述第三和第四EUV辐射束投影到所述衬底上,使得所述第三和第四辐射束相互干涉,以在所述衬底的各个目标区域上曝光第二组平行线,其中所述第二组平行线相间配置在所述第一组平行线的各条线之间且平行于所述第一组平行线。

5.根据前述权利要求中任一个所述的方法,其中步骤(b)包括:

使用所述曝光单元将所述第一和第二EUV辐射束投影到所述衬底上,使得所述第一和第二辐射束相互干涉,以曝光在所述衬底的目标区域上的矩形;和

相对于所述曝光单元移动所述衬底,使得线被曝光在所述衬底上。

6.根据权利要求5所述的方法,还包括步骤:

以等于90度或基本上等于90度的角度旋转所述衬底;

产生第三和第四EUV辐射束;

使用所述曝光单元将所述第三和第四EUV辐射束投影到所述衬底上,使得所述第三和第四辐射束相互干涉,以曝光所述衬底的第二目标区域上的第二矩形;和

相对于所述曝光单元移动所述衬底,使得基本上垂直于所述第一线的第二线被曝光。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中步骤(b)包括:

使用第一组反射镜来引导所述第一束和使用第二组反射镜以引导所述第二束,使得所述第一和第二束的各自的路径长度在所述曝光场处基本上相等,使得所述第一和第二束在所述曝光场的整个宽度上基本上是相互空间相干和时间相干的。

8.根据权利要求7所述的方法,其中步骤(b)还包括:

使用所述第一组反射镜和所述第二组反射镜分别减小、扩展或缩小所述第一和第二束。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述步骤(a)包括:

将EUV辐射束分开,以产生所述第一和第二束。

10.根据权利要求9所述的方法,其中步骤(a)还包括:

接收不平行于包括所述衬底的法向量的平面的所述束,

其中所述束基本上垂直于用于分开所述第一束的分束器的线,使得由所述分束器的拓扑引起的遮蔽基本上被减小或消除。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中步骤(a)包括:

衍射EUV辐射束以产生所述第一和第二束。

12.一种干涉测量光刻设备,包括:

第一曝光系统,配置成接收第一极紫外(EUV)辐射束并且引导所述第一束到衬底上的曝光场上,所述第一曝光系统包括第一束宽度调整系统;和

第二曝光系统,配置成接收第二EUV辐射束并且引导所述第二束到所述衬底上的所述曝光场上,使得所述第一和第二束相互干涉,以在所述衬底的所述曝光场处曝光第一组平行线,所述第二曝光系统包括第二束宽度调整系统,

其中,所述第一和第二束宽度调整系统配置成分别调整所述第一和第二束的宽度,使得所述第一和第二束的各路径长度在所述曝光场处基本上相等,以便所述第一和第二束在所述曝光场的整个宽度上是基本上相互空间相干和时间相干的。

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