[发明专利]成膜装置及成膜方法

权利要求书

1.一种成膜装置，用于对多个基材同时进行成膜处理，其特征在于，包括：

支承单元，其具有旋转轴与支承部，该支承部，支承上述多个基材，使该多个基材位于旋转轴的周围且可自由旋转；

真空腔，其具有处理室，该处理室收装上述支承单元，且该支承单元可在该处理室中以上述旋转轴为中心自由旋转；

成膜源，其配置在上述真空腔的内部；

低温排气部，其具有低温冷凝源，该低温冷凝源配置在上述真空腔的上表面。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述成膜源为溅射靶与等离子CVD用阴极二者中的至少其中之一，该溅射靶与等离子CVD用阴极配置在上述处理室的侧壁面。

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述成膜源为配置在上述支承单元的轴心部的蒸镀源。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述成膜源包括第1成膜源与第2成膜源，

第1成膜源由配置在上述支承单元的轴心部的蒸镀源构成，

第2成膜源由溅射靶与等离子CVD用阴极二者中的至少其中之一构成。

5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述低温排气部具有使上述处理室与上述低温冷凝源之间连通的开口部，

该成膜装置还包括可使上述开口部开闭的阀机构。

6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，

还包括对上述处理室进行真空排气的辅泵。

7.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述真空腔具有第1真空腔组件与第2真空腔组件，

上述低温排气部配置在该第1真空腔组件上，

该第2真空腔组件支承上述支承单元，且以可自由拆卸的方式安装在上述第1真空腔组件上。

8.一种成膜方法，其特征在于，

将基材收装到真空腔的内部；

由面对上述真空腔的内部配置的低温冷凝源对上述真空腔的内部进行排气，以使该真空腔的内部达到规定的真空度；

在上述低温冷凝源与上述真空腔内部的连通被切断的状态下，用等离子CVD法在上述基材表面上形成第1覆膜；

在上述低温冷凝源与上述真空腔的内部相连通的状态下，用真空蒸镀法或喷镀覆膜法在上述基材的表面上形成第2覆膜。

9.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，

形成上述第1覆膜的工序之前，在上述低温冷凝源与上述真空腔的内部相连通的状态下，对上述基材的表面用等离子进行清洁处理。

10.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，

于上述基材表面上形成第2覆膜的工序之后，在上述低温冷凝源与上述真空腔内部的连通被切断的状态下，用等离子CVD法在上述基材表面上形成第3覆膜。

11.根据权利要求10所述的成膜方法，其特征在于，

形成上述第3覆膜的工序之后，在上述低温冷凝源与上述真空腔的内部相连通的状态下，对上述基材的表面进行等离子处理。

12.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，

在将上述基材收装到上述真空腔内部的工序中，上述低温冷凝源与上述真空腔的内部被维持在二者之间的连通被切断的状态。