[发明专利]直接转换探测器

权利要求书

1.一种辐射敏感探测器阵列(110)，包括：

第一衬底(202)，其具有第一面和第二相对面，其中，所述第一面探测入射辐射，并且所述第一衬底(202)产生指示所探测到的辐射的信号；

所述第一衬底(202)上的至少一个电接头(204)；以及

耦合到所述至少一个电接头(204)的导电材料(214)，其中，所述导电材料(214)具有在大约七十二(72)摄氏度到大约九十五摄氏度的范围内的熔点。

2.根据权利要求1所述的辐射敏感探测器，其中，所述导电材料(214)具有大约为七十二摄氏度的熔点。

3.根据权利要求1所述的辐射敏感探测器，其中，所述导电材料(214)包括低温焊料(214)。

4.根据权利要求1所述的辐射敏感探测器，其中，所述导电材料(214)包括铟。

5.根据权利要求1所述的辐射敏感探测器阵列，其中，所述导电材料(214)包括基本共晶的铟铋混合物。

6.根据权利要求1所述的辐射敏感探测器阵列，其中，所述导电材料(214)包括基本上按重量In为25％到70％之间的范围的铟铋合金。

7.根据权利要求1所述的辐射敏感探测器阵列，其中，所述辐射敏感探测器阵列为直接转换探测器阵列。

8.根据权利要求1所述的辐射敏感探测器阵列，其中，所述第一衬底(202)包括碲锌镉。

9.根据权利要求1所述的辐射敏感探测器阵列，其中，所述至少一个电接头(204)包括铟。

10.根据权利要求1所述的辐射敏感探测器阵列，还包括：

第二衬底(206)；

所述第二衬底(206)上的第二电接头(208)，其中，所述第二电接头(208)耦合到所述导电材料(214)；以及

所述第二衬底(206)上的第三电接头(210)，其中，所述第三电接头(210)与所述第二电接头(208)电连通。

11.根据权利要求1所述的辐射敏感探测器阵列，其中，所述辐射敏感探测器阵列为单光子发射计算机断层摄影扫描器的一部分。

12.一种医学成像系统，包括：

辐射敏感探测器阵列(110)，其探测穿过检查区域的辐射并产生指示所探测到的辐射的电信号，其中，所述辐射敏感探测器阵列(110)包括：

辐射敏感衬底(202)；

耦合到所述辐射敏感衬底(202)的电接头(204)；以及

耦合到所述至少一个电接头(204)的导电材料(214)，其中，所述导电材料(214)为低温焊料(214)。

13.根据权利要求12所述的医学成像系统，其中，所述导电材料(214)具有大约七十二摄氏度的熔点。

14.根据权利要求12所述的医学成像系统，其中，所述导电材料(214)电学地并物理地耦合到所述至少一个电接头(204)。

15.根据权利要求12所述的医学成像系统，其中，所述导电材料(214)包括基于铟铋的焊料(214)。

16.根据权利要求12所述的医学成像系统，其中，所述导电材料(214)包括基本上按重量铋(Bi)为30％到60％之间的范围内的铟(In)铋(Bi)合金。

17.根据权利要求12所述的医学成像系统，其中，所述至少一个电接头(204)包括铟。

18.根据权利要求12所述的医学成像系统，其中，所述至少一个电连接(204)很好地粘附于碲锌镉。

19.根据权利要求12所述的医学成像系统，其中，所述辐射敏感探测器阵列(110)为直接转换探测器的一部分。

20.一种方法，包括：

将基于低温InBi的焊料(214)回流到读出衬底(206)上的第一电接头(208)；以及

将所述基于低温InBi的焊料(214)回流到在基于CZT的辐射敏感衬底(202)上的基于In的电接头(204)。

21.根据权利要求20所述的方法，还包括使用汽相焊接技术将所述基于低温InBi的焊料(214)回流到所述基于In的电接头(204)。