[发明专利]薄膜型太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号： | 200880120626.9 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101897034A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李奇世 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有顺序地沉积在衬底上的前电极、半导体层和背电极的薄膜型太阳能电池，包括：
在所述衬底与所述前电极之间的缓冲层，以增强所述衬底与所述前电极之间的粘合强度，并改善通过衬底入射的太阳光的透射率。
2.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中所述缓冲层由折射率比所述衬底的折射率高的透明材料形成。
3.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中所述缓冲层由折射率在1.9和2.3之间的范围内的透明材料形成。
4.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中所述缓冲层以和之间的厚度形成。
5.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中所述缓冲层由从包含TiO2、SiN或SiO2的组中选择的材料形成。
6.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中所述缓冲层包含多个子层。
7.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，还包括在所述半导体层与所述背电极之间的透明导电层。
8.一种制造薄膜型太阳能电池的方法，包括：
在衬底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成前电极；
在所述前电极上形成半导体层；以及
在所述半导体层上形成背电极。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述缓冲层由折射率比所述衬底的折射率高的透明材料形成。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述缓冲层由折射率在1.9和2.3之间的范围内的透明材料形成。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述缓冲层以和之间的厚度形成。
12.根据权利要求8所述的方法，其中所述缓冲层由从包含TiO2、SiN或SiO2的组中选择的材料形成。
13.根据权利要求8所述的方法，其中所述缓冲层包含多个子层。
14.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述半导体层与所述背电极之间形成透明导电层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
