[发明专利]发射偏振辐射的半导体器件

权利要求书

1.一种发射具有第一偏振方向的偏振辐射的半导体器件(1)，其具有：

-芯片壳体(2)；

-半导体芯片(3)，其设置在芯片壳体(2)中并且产生非偏振的辐射；以及

-远离芯片的、集成到所述芯片壳体(2)中的偏振滤光器(4)，该偏振滤光器(4)在优先方向(V)上设置在该半导体芯片(3)之后并且将该半导体芯片(3)发出的辐射划分为具有第一偏振方向的第一辐射部分(S1)和具有第二偏振方向的第二辐射部分(S2)，

其中该远离芯片的偏振滤光器(4)对于该第一辐射部分(S1)具有比对于该第二辐射部分(S2)高的透射度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件(1)，其中在该半导体芯片(3)的朝向该远离芯片的偏振滤光器(4)的表面上设置有接近芯片的偏振滤光器(4)，其中该接近芯片的偏振滤光器(4)对于第一辐射部分(S1)具有比对于第二辐射部分(S2)高的透射度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件(1)，其中所述远离芯片的和/或接近芯片的偏振滤光器(4)具有金属格栅。

4.根据权利要求3所述的半导体器件(1)，其中所述金属格栅具有彼此平行走向的金属带(4a)。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件(1)，其中所述远离芯片的和/或接近芯片的偏振滤光器(4)是双折射的多层滤光器，该多层滤光器具有至少一个第一双折射层和至少一个第二双折射层，其中该第一双折射层具有第一折射率n1和第二折射率n，该第二双折射层具有第三折射率n2和第二折射率n。

6.根据上述权利要求中的任一项所述的半导体器件(1)，其中所述芯片壳体(2)具有凹部(5)，该凹部通过底面(7)和至少一个侧面(6)来形成边界，其中该半导体芯片(3)安装在所述底面上，其中至少侧面(6)是反射性的。

7.根据权利要求6所述的半导体器件(1)，其中所述侧面(6)至少部分地被反射层(11)覆盖。

8.根据权利要求6或7所述的半导体器件(1)，其中所述侧面(6)是平滑的。

9.根据权利要求6或7所述的半导体器件(1)，其中所述侧面(6)具有不平坦部(8)。

10.根据权利要求9所述的半导体器件(1)，其中所述侧面(6)具有表面结构，该表面结构由一些相对彼此倾斜走向的平滑的部分面(9)构成，这些部分面如镜面那样起作用。

11.根据权利要求6至10中的任一项所述的半导体器件(1)，其中该远离芯片的偏振滤光器(4)覆盖所述凹部(5)。

12.根据权利要求6至11中的任一项所述的半导体器件(1)，其中在该远离芯片的偏振滤光器(4)和该半导体芯片(3)之间的凹部(5)中设置有填料。

13.根据权利要求12所述的半导体器件(1)，其中所述填料具有包含环氧树脂或者硅树脂的填充材料。