[发明专利]具有至少一个光电半导体器件的装置在审

专利信息
申请号: 200880120384.3 申请日: 2008-11-19
公开(公告)号: CN101897043A 公开(公告)日: 2010-11-24
发明(设计)人: G·博格纳;S·格鲁伯;M·齐茨尔斯珀格 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L25/16;H01L25/075
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李少丹;李家麟
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 至少 一个 光电 半导体器件 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种具有至少一个光电半导体器件的装置。

专利申请要求德国专利申请102007060206.7的优先权,所述专利申请的全部公开内容就此通过引用并入本专利申请。

背景技术

许多不同的壳体被用于电子器件。半导体器件被经常地安装在结构化的金属载体元件上,并且被喷涂以浇注材料。如果辐射从外部投射到壳体上,则可能在壳体部分、载体元件处、或者在电子部件处发生反射。因此,在上面未施加电压的光电半导体器件的情况下可能造成所述光电半导体器件发射辐射这一印象。

发明内容

本发明的任务是,说明一种具有至少一个光电半导体器件的装置,所述装置被更佳地保护以防止不希望的反射。

该任务通过具有权利要求1的特征的装置来解决。

具有至少一个光电半导体器件的装置具有适于承载所述至少一个光电半导体器件的载体元件装置。所述光电半导体器件可以是发射辐射的半导体器件。所述载体元件装置具有表面,所述表面具有至少一个连接面。所述光电半导体器件与所述连接面相耦合。此外,该装置具有由合成材料构成的壳体本体,所述壳体本体被设置在所述载体元件装置上。所述壳体本体具有升高区域和回退(zurückgesetzt)区域。在升高区域与回退区域之间构造有倾斜的侧壁。回退区域达到所述光电半导体器件。所述合成材料是吸光的、例如是黑色的。

所述壳体本体的升高区域和回退区域尤其是优选分别被至少部分地设置在所述载体元件装置上。回退区域特别优选地覆盖所述载体元件装置的朝向所述半导体器件的表面的大部分、例如60%或60%以上、优选地为70%或70%以上、优选地为80%或80%以上、特别优选地为90%或90%以上。因此,回退区域在所述载体元件装置的朝向所述半导体器件的表面上横向延伸到所述载体元件装置上。在所述载体元件装置上,优选地在所述半导体器件的安装区域处不设置壳体本体、尤其是不设置壳体本体的回退区域。

优选地,回退区域的背对所述载体元件装置的表面和所述连接面被设置得彼此不平齐。回退区域尤其是在垂直方向上突出于所述连接面。回退区域可以至少部分地沿着所述半导体器件延伸并且远离所述载体元件地延伸。

回退区域达到所述光电半导体器件。优选地,回退区域紧邻地达到所述光电半导体器件。在此,回退区域可以紧邻地沿着所述半导体器件延伸。那么,回退区域的侧面尤其是直接接触所述半导体器件的侧面。优选地,回退区域的所有侧面都直接接触所述半导体器件的侧面。

另外,可以仅仅将回退区域的侧面的区域设置为紧邻所述光电半导体器件的侧面。那么,回退区域的侧面和所述光电半导体器件的侧面仅仅局部地紧邻接触。例如,回退区域的侧面被构造为倾斜于所述载体元件装置,使得仅仅回退区域的被直接设置在所述载体元件装置处的区域紧邻地接触所述半导体器件的侧面。

可替代地,可以在回退区域与所述光电半导体器件之间设置间距。回退区域与所述光电半导体器件之间的间距优选地为500μm或500μm以下、例如300μm或300μm以下、优选地为200μm或200μm以下、特别优选地为100μm或100μm以下。回退区域可以仅仅局部地或者环绕地同所述半导体器件间隔开。

所述载体元件装置的与所述光电半导体器件相耦合的连接面优选为用于所述光电半导体器件的电连接面。尤其是所述光电半导体器件例如借助于导电粘合剂或导电的焊剂与所述连接面以导电的形式相连接。

在一个实施方式中,该壳体本体的升高区域具有使得出射角能够为140°或140°以上的高度和宽度。

可以将另外的电子部件设置在所述壳体本体之内、例如与所述载体元件相耦合并且被所述壳体本体的合成材料材料包围。在这种情况下,所述载体元件装置的表面优选具有另外的连接面,所述另外的连接面相应地与另外的电子部件相耦合、尤其是以导电的形式相连接。

在另一实施方式中,所述载体元件装置包括导电材料、尤其是导电金属、例如铜。所述载体元件装置可以由至少两个适宜地导电的部分构成,这些部分彼此电绝缘。

优选在所述载体元件装置的所述至少两个部分之间设置所述壳体本体的构造。优选地,所述壳体本体的处于所述载体元件装置的所述至少两个部分之间的构造在背对所述半导体器件的表面上结束于所述载体元件装置的背对所述半导体本体的表面。所述壳体本体的构造尤其是在所述装置的底侧在垂直方向上不突出于所述载体元件装置,使得所述装置的底侧被构造为平坦的并且尤其是不具有突起。因此,所述装置的底侧具有平的支承面,其中利用所述支承面,所述装置可以被外部地安装在例如电路板上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880120384.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top