[发明专利]具有毂的晶片载具

权利要求书

1.一种用于CVD反应器的晶片载具，包括：

(a)非金属耐火材料形成的托板，具有朝向彼此相反方向的上游表面和下游表面，所述托板具有中央区和外围区，所述托板在外围区中具有晶片保持特征，所述晶片保持特征被配置成保持多个晶片，以使所述晶片暴露在托板的上游表面；以及

(b)与托板分开形成的毂，所述毂在所述中央区附连于托板上，所述毂具有芯轴连接部，所述芯轴连接部被配置成接合CVD反应器的芯轴，以便将所述托板与芯轴机械连接。

2.如权利要求1所述的晶片载具，其中，所述非金属耐火材料选自下述一组：碳化硅，氮化硼，碳化硼，氮化铝，氧化铝，蓝宝石，石英，石墨，它们的组合物。

3.如权利要求1所述的晶片载具，其中，所述非金属耐火材料主要由碳化硅组成。

4.如权利要求1所述的晶片载具，其中，托板是由非金属耐火材料整体形成的一体式板材。

5.如权利要求4所述的晶片载具，其中，所述非金属耐火材料是碳化硅。

6.如权利要求1所述的晶片载具，其中，所述托板包括至少在托板的上游表面覆盖非金属耐火材料的涂层。

7.如权利要求6所述的晶片载具，其中，所述涂层由选自下面一组的材料形成：碳化钛，碳化钽。

8.如权利要求1所述的晶片载具，其中，所述毂至少部分地由不同于形成所述托板的非金属耐火材料的一或多种材料形成。

9.一种化学气相沉积设备，包括：反应室；芯轴，其安装在反应室内，用于绕大致沿从上游至下游的方向延伸的轴线旋转；喷射头，用于将一或多种反应气体引入反应室中；以及围绕芯轴的一或多个加热元件；所述设备还包括如权利要求1所述的晶片载具，晶片载具的连接部被配置成适于将晶片载具安装在芯轴上，使得托板的上游表面面向着喷射头，托板的下游表面面向着所述一或多个加热元件。

10.如权利要求9所述的设备，其中，当晶片载具被安装在芯轴上时，在托板的外围区中，托板的下游表面正对着加热元件。

11.一种加工晶片的方法，包括下述步骤：

(a)利用多个晶片载具进行加工，每个所述晶片载具包括毂和以可拆下的方式附连于毂的托板，其中，使得每个晶片载具的毂与加工设备的芯轴接合，以及旋转芯轴和晶片载具、同时处理托板上承载的晶片；

(b)在利用晶片载具进行加工后从每个晶片载具移除晶片；

(c)利用每个晶片载具对新的晶片重复步骤(a)和(b)；以及

(d)更新每个晶片载具，其中从托板上拆下毂，然后清洁所述托板，然后在托板上重新组装同一或不同的毂。

12.如权利要求11所述的方法，其中，清洁托板的步骤包括蚀刻托板。

13.如权利要求11所述的方法，其中，处理晶片的步骤包括实施化学气相沉积过程。

14.一种用于CVD反应器的晶片载具，包括：非金属耐火材料形成的托板，其具有朝向彼此相反方向的上游表面和下游表面，所述托板具有中央区和外围区，所述托板在外围区中具有晶片保持特征，所述晶片保持特征被配置成保持多个晶片，以使所述晶片暴露在托板的上游表面，其中，托板是主要由碳化硅形成的一体式板材。

15.如权利要求14所述的晶片载具，其中，晶片载具具有芯轴连接部，所述芯轴连接部被配置成接合CVD反应器的芯轴，以便将托板与芯轴机械连接。

16.如权利要求15所述的晶片载具，其中，芯轴连接部被配置成以可拆下的方式接合芯轴。

17.如权利要求1或权利要求16所述的晶片载具，其中，所述下游表面面向着下游方向，并且，芯轴连接部包括插口，所述插口具有孔，所述孔具有面向下游方向的开放端。

18.如权利要求17所述的晶片载具，其中，所述上游表面面向着上游方向，并且，所述孔是锥形的，从而孔的直径向上游方向逐渐减小。

19.如权利要求14所述的晶片载具，还包括与所述托板分开形成的毂，所述毂在所述中央区附连于所述托板，所述毂具有芯轴连接部，所述芯轴连接部被配置成接合CVD反应器的芯轴，以便将托板与芯轴机械连接。