[发明专利]具有多个单独的发射层的有机发光器件有效
申请号: | 200880118054.0 | 申请日: | 2008-10-07 |
公开(公告)号: | CN101952990A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | S·福里斯特;孙轶如 | 申请(专利权)人: | 密执安州立大学董事会 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 柳冀 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 单独 发射 有机 发光 器件 | ||
1.器件,包括:
阳极;
阴极;和
布置在阳极和阴极之间的叠层发射区,该叠层发射区包括:
第一有机发射层;
第二有机发射层;和
第三有机发射层;
其中:
第一有机发射层具有与第二发射层和第三发射层中的至少一个不同的发射峰值;并且
所述有机发射层中的每个限定激子形成区域。
2.权利要求1的器件,其中:
第一有机发射层包括第一基质和第一掺杂剂;
第二有机发射层包括第二基质和第二掺杂剂;并且
第三有机发射层包括第三基质和第三掺杂剂。
3.权利要求2的器件,其中每个基质的HOMO与相邻掺杂剂的HOMO匹配。
4.权利要求3的器件,其中至少一个基质的HOMO在相邻掺杂剂的HOMO的5kT-10kT的范围以内。
5.权利要求3的器件,其中每个基质的HOMO在相邻掺杂剂的HOMO的5kT-10kT的范围以内。
6.权利要求2的器件,其中每个基质的LUMO与相邻掺杂剂的LUMO匹配。
7.权利要求4的器件,其中至少一个基质的LUMO在相邻掺杂剂的HOMO的5kT-10kT的范围以内。
8.权利要求4的器件,其中每个基质的LUMO在相邻掺杂剂的HOMO的5kT-10kT的范围以内。
9.权利要求2的器件,其中
第二基质的HOMO在第一基质的HOMO和第一掺杂剂的HOMO之间;并且
第二基质的HOMO与第一基质的HOMO和第一掺杂剂的HOMO匹配。
10.权利要求2的器件,其中
第二基质的LUMO在第一基质的LUMO和第一掺杂剂的LUMO之间;并且
第二基质的LUMO与第一基质的LUMO和第一掺杂剂的LUMO匹配。
11.权利要求2的器件,其中,对于每个发射层,基质的HOMO与每个相邻发射层基质的HOMO和每个相邻发射层掺杂剂的HOMO匹配。
12.权利要求2的器件,其中,对于每个发射层,基质的LUMO与每个相邻发射层基质的LUMO和每个相邻发射层掺杂剂的LUMO匹配。
13.权利要求2的器件,其中所述掺杂剂中的至少一个是磷光掺杂剂。
14.权利要求2的器件,其中所述掺杂剂中的至少一个是荧光掺杂剂。
15.权利要求1的器件,其中所述有机发射层的组合发射足够跨越可见光谱以产生白光。
16.权利要求15的器件,其中白光具有至少约80的CRI。
17.权利要求15的器件,其中白光具有在(0.33±0.05,0.33±0.05)的范围内的CRE坐标。
18.权利要求1的器件,其中至少一个有机发射层包括非聚合材料。
19.权利要求1的器件,其中至少一个有机发射层包括聚合物。
20.有机光电器件,包括:
第一有机发射层,其包括第一基质和适于发射具有第一光谱的光的第一掺杂剂;
第二有机发射层,其包括第二基质和适于发射具有第二光谱的光的第二掺杂剂,该第二基质具有在第一基质的LUMO和第一掺杂剂的LUMO之间且与它们匹配的LUMO;和
第三有机发射层,其包括第三基质和适于发射具有第三光谱的光的第三掺杂剂,该第三基质具有在第二基质的LUMO和第二掺杂剂的LUMO之间且与它们匹配的LUMO。
21.权利要求20的器件,其中所述发射层的组合发射足够跨越可见光谱以产生白光。
22.权利要求20的器件,其中:
第二基质具有在第一基质的HOMO和第一掺杂剂的HOMO之间且与它们匹配的HOMO;并且
第三基质具有在第二基质的HOMO和第二掺杂剂的HOMO之间且与它们匹配的HOMO。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择