[发明专利]磁性记录介质无效
| 申请号: | 200880117710.5 | 申请日: | 2008-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN101919000A | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
| 发明(设计)人: | B·迪耶尼;J·莫里兹;B·罗德马克 | 申请(专利权)人: | 法国原子能及替代能源委员会;国家科学研究中心 |
| 主分类号: | G11B5/855 | 分类号: | G11B5/855;G11B5/09;C12Q1/68;G11B5/66 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;陈宇萱 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁性 记录 介质 | ||
1.一种磁性记录介质(100),包括布置在衬底(102)上的磁性区域的集合,每个磁性区域至少包括叠置的第一磁性层(C’1)和第二磁性层(C’2),其由非磁性层(NM’)彼此隔开,所述介质(100)的特征在于:
-所述非磁性层(NM’)是确保所述第一磁性层(C’1)与第二磁性层(C’2)之间的磁性去耦合的层;
-所述第一磁性层(C’1)呈现出与所述衬底(102)的平面基本上平行定向的磁化;
-所述第二磁性层(C’2)呈现出与所述衬底(102)的平面基本上垂直定向的磁化;
所述第一磁性层(C’1)和第二磁性层(C’2)的所述磁化定向允许表示通过每个区域四个值来编码的数据。
2.根据权利要求1所述的磁性记录介质(100),其特征在于,所述第二垂直磁性层(C’2)位于所述第一平行磁性层(C’1)之上。
3.根据任一前述权利要求所述的磁性记录介质(100),其特征在于,所述第一磁性层(C’1)是由以下合金之一制成的单层:
οCoPt或者CoPd或者CoFeNi合金;
οFePt或者FePd化学有序合金;
οCoCr或者CoPtCr或者CoPtCrX合金,其中X表示Ta或P或B。
4.根据权利要求1或2之一所述的磁性记录介质(100),其特征在于,所述第一磁性层(C’1)由两个逆平行磁化磁性子层形成,所述逆平行磁化磁性子层由诸如Ru等材料制成的、能够引起所述两个相邻子层之间的反铁磁性耦合的非磁性子层隔开。
5.根据前述权利要求所述的磁性记录介质(100),其特征在于,所述磁性子层的厚度是不同的。
6.根据前述权利要求之一所述的磁性记录介质(100),其特征在于,所述第二磁性层(C’2)是磁性多层。
7.根据前述权利要求所述的磁性记录介质(100),其特征在于,所述磁性多层是通式为(Co/Pt)m的钴/铂多层或者通式为(Co/Pd)n的钴/钯多层或者通式为(Co/Ni)p的钴/镍多层,m、n和p表示与Co/Pt、Co/Pd和Co/Ni双层的各自重复的数目相对应的自然数。
8.根据权利要求1到5之一所述的磁性记录介质(100),其特征在于,所述第二磁性层(C’2)是由以下合金之一制成的单层:
οCoPt或者CoPd合金;
οFePt或者FePd化学有序合金;
οCoCr或者CoPtCr或者CoPtCrX合金,其中X表示Ta或P或B;
9.根据前述权利要求之一所述的磁性记录介质(100),其特征在于,所述非磁性层(NM’)由选自诸如Pt、Cr、Ru或Cu的非磁性金属或者诸如Al2O3、MgO、HfO2或Ta2O5的氧化物的材料制成。
10.根据权利要求1或2所述的磁性记录介质(100),其特征在于,所述第一磁性层(C’1)是CoPtCr层,所述非磁性层(NM’)是Pt层,并且所述第二磁性层(C’2)是Co/Pt多层;
11.根据前述权利要求之一所述的磁性记录介质(100),其特征在于,每个磁性区域包括面内磁化的软磁性层,其厚度小于所述第一磁性层和第二磁性层的厚度,所述软磁性层位于所述第二磁性层之上或者之下,并且通过交换而磁性耦合至所述第二磁性层,以促进所述第二磁性层中的写入;
12.根据前述权利要求之一所述的磁性记录介质(100),其特征在于,所述衬底(102)包括点的集合(101),每个磁性区域布置在点的顶部(103)上;
13.根据前述权利要求之一所述的磁性记录介质(100),其特征在于,其包括多个隔开的且同心的读取/写入轨道,所述磁性区域位于所述轨道之上;
14.根据前述权利要求所述的磁性记录介质,其特征在于,每个所述第一平面磁化层沿写入头的扫描方向来定向。
15.根据前述权利要求之一所述的磁性记录介质(100),其特征在于,每个所述磁性区域包括第三层,所述第三层呈现出与所述衬底的平面基本上平行、且与所述第一层的磁化方向垂直定向的磁化。
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