[发明专利]用以控制感应耦合等离子体室中边缘表现的设备与方法有效
| 申请号: | 200880117690.1 | 申请日: | 2008-12-15 |
| 公开(公告)号: | CN101874292A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
| 发明(设计)人: | 刘炜;乔黑尼斯·F·斯温伯格;哈恩·D·阮;桑·T·阮;罗杰·柯蒂斯;菲利普·A·博蒂尼;迈克尔·J·马克 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H05H1/34 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用以 控制 感应 耦合 等离子体 边缘 表现 设备 方法 | ||
1.一种处理基板的设备,包括:
腔室主体,界定处理空间;
气体入口,设置以将处理气体流入该处理空间中;及
支撑底座,配置于该处理空间中,其中该支撑底座包括顶部平板,该顶部平板具有设置以于背侧上接收并支撑该基板的基板支撑表面、及设置以沿着该基板的外边缘围绕该基板的边缘表面,其中该基板的顶表面与该边缘表面间的高度差用来控制该基板的边缘区域对该处理气体的暴露。
2.如权利要求1所述的设备,其中该基板支撑表面小于该基板以致该背侧的边缘没有悬挂。
3.如权利要求2所述的设备,其中该边缘表面低于该基板的顶表面。
4.如权利要求3所述的设备,其中该基板的顶表面与该边缘表面间的高度差介于约0.25英寸至约0.5英寸之间。
5.如权利要求3所述的设备,其中该基板支撑表面是环状顶表面,该环的直径小于该基板的直径。
6.如权利要求3所述的设备,其中该顶部平板包括多个在该基板支撑表面径向向外从顶部平板突出的指状物,其中该多个指状物经设置以避免该基板滑走。
7.如权利要求3所述的设备,还包括配置于该顶部平板的边缘表面上且围绕该基板的边缘环,其中该边缘环经设置以调整该边缘表面与该基板的顶表面间的高度差。
8.一种处理室中的支撑底座所用的顶部平板,包括:
主体,具有基本上平板的形状,其中该主体具有设置以于背侧上接收并支撑基板的基板支撑表面、与设置以沿着该基板的外边缘围绕该基板的边缘表面,其中该基板的顶表面与该边缘表面间的高度差经设计以实现该基板的边缘区域对该处理室中流动的处理气体的期望暴露。
9.如权利要求8所述的顶部平板,其中该主体由石英所构成。
10.一种调节边缘处理表现的方法,包括:
在处理室中提供支撑底座,其中该支撑底座具有设置以接收并支撑基板于其上的基板支撑表面、与设置以沿着该基板的外边缘围绕该基板的边缘表面;
将基板置于该基板底座上;
将处理气体流至该处理室;及
用该处理气体处理该基板,其中该基板的顶表面与该边缘表面间的高度差用来控制该基板的边缘区域对流至该处理室的处理气体的暴露。
11.如权利要求10所述的方法,其中用该处理气体处理该基板的步骤包括降低该边缘表面以提高该边缘区域对该处理气体的暴露。
12.如权利要求10所述的方法,其中用该处理气体处理该基板的步骤包括提高该边缘表面以减少该边缘区域对该处理气体的暴露。
13.如权利要求11所述的方法,其中该基板的顶表面与该边缘表面间的高度差介于约0.25英寸至约0.5英寸之间。
14.如权利要求10所述的方法,还包括配置边缘环于该边缘表面上以调整该基板的顶表面与该边缘表面间的高度差。
15.如权利要求10所述的方法,还包括通过利用顶料销改变该基板的高度来调整该高度差。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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