[发明专利]静电型加固装置

说明书

技术领域

本发明涉及抑制硅晶片等薄膜材料所受应力的静电型加固装置。

背景技术

近年来，硅晶片正在向薄膜化、大面积化发展。这样的薄硅晶片较脆，在处理中受到应力时硅晶片会产生龟裂或微裂缝，从而引起硅晶片的性能恶化，使品质下降，或者次品增多。

作为防止硅晶片产生龟裂或微裂缝的措施，研发了晶片保护带(例如参考专利文献1)。

如图6所示，该晶片保护带800的结构为在带状支撑体803的一个表面上提供粘合剂或粘附剂802，经由粘附剂802将带状支撑体粘合在硅晶    片上，从而由带状支撑体从背面保护硅晶片101。当不需要保护时，采用保护带剥离装置等剥离、丢弃晶片保护带800。

通过采用这样的晶片保护带800，即使被研磨得很薄的硅晶片101也能够在生产过程期间移动时或加工时被加固，从而抑制产生裂缝。

另一方面，目前，已知将静电保持装置作为保持硅晶片等薄膜材料的保持装置(例如参考专利文献2、3)。

在这样的静电保持装置中，在基板上安装保持部，该保持部大致由提供一对正负电荷的电极元件组和覆盖该电极元件组的固定在基板上的绝缘层构成，并且包括向电极元件组施加高电压或释放所施加电压的电压控制部。

由此，通过经由配置在电压控制部上的开关将高电压施加到这些电极元件组上，将绝缘层的表面作为保持面，由作为处理对象的硅晶片和保持面之间感应的静电吸引力将处理对象保持。当开关为断开时，这样的静电吸引力消除，从而释放处理对象。由此，用作由静电吸引力吸引导体、半导体或高电阻体等处理对象而保持(装载)并在释放时能够使处理对象脱离(卸下)的静电卡盘。

专利文献1：特开2001-319906

专利文献2：特开2003-282671

专利文献3：特开2004-358562

专利文献4：特开2006-52075

发明内容

发明要解决的问题

近年来，在应用薄膜晶体管(TFT)的半导体芯片中，正在尝试在硅晶片的两个表面上形成电极图案。因此，例如采用表面尺寸英寸～英寸左右、厚度650μm左右的硅晶片。

在该硅晶片的一个表面(表面)上形成TFT图案之后，研磨形成了TFT图案的表面的背面。由此，使硅晶片的整体厚度减小为30μm～80μm左右，从而构成薄膜硅晶片。之后，将该薄膜硅晶片形成有TFT图案的表面作为保持面，在研磨面(背面)上也形成TFT图案，由此制造在两个表面上都形成了电极图案的薄膜晶体管TFT。

这样，在硅晶片的两个表面上形成电极图案的情况下，将保护带作为加固部件使用时，由保持带粘合表面上形成有TFT图案的表面。但是，由于保护带由粘附剂固定，所以在背面的TFT图案形成处理结束之后，需要使保护带从薄膜硅晶片剥离的步骤(剥皮步骤)。在该剥皮步骤中，由于将由粘附剂固定的保护带从硅晶片强行剥离，所以不可避免地对薄膜硅晶片产生应力，由于薄膜硅晶片的厚度薄，所以存在产生龟裂的风险高的问题。

其中，即使采用如在专利文献1中公开的不会受到应力处理的保护带的剥离装置，依然存在产生龟裂的风险。进一步地，还存在由于使用粘附剂而将形成纤细的TFT图案的表面污染的问题。在具有微细凹凸的TFT图案中，一般难以将由粘附剂污染的TFT图案表面彻底清洗干净。进一步地，对于在清洗中使用的清洗液和使用完成的保护带等进行丢弃和再循环也存在较大的经费问题。

本发明的目的是提供没有粘附剂带来的污染、并且再循环等经费少、且能够吸附硅晶片等薄板材料的加固对象的静电型加固装置。

解决问题的手段

为了实现上述目的，根据本发明一实施例的静电型加固装置，包括：加固部件本体，具有在电绝缘层内部嵌入电极部的薄板状静电保持部；以及电压控制部，与所述加固部件本体可分离设置，具有能够将所述加固对象导通接地的第一连接端子和能够将所述电极部接地或导通到高电压的第二连接端子；所述电压控制部包括：吸附工序部，用于在将高电压施加到所述电极部上的同时，通过由接地为所述加固对象提供与施加到所述电极部的电压极性相反的电荷，使所述静电保持部产生吸附力以吸附加固对象；及吸附释放工序部，用于使累积在所述加固对象和所述电极部上的电荷由所述接地释放，并使所述静电保持部的静电吸附能力消失从而将所述加固对象分离。