[发明专利]弹性波装置有效
| 申请号： | 200880117247.4 | 申请日： | 2008-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101868915A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 高井努;早川德洋;西野太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/145 | 分类号： | H03H9/145 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 弹性 装置 | ||
1.一种弹性波装置，其特征在于，具备：
弹性波元件，其在基板上形成有IDT电极；
保护膜，其按照覆盖所述弹性波元件的方式形成，
所述保护膜是以硅和氮为主要成分的氮化硅膜，在所述硅和所述氮的组成比以1∶X来表示时，所述X为1.15以下。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于，
所述弹性波元件还具备：在含有所述IDT电极的所述基板上所形成的SiO2膜，
所述保护膜从所述SiO2膜上被形成。
3.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于，
所述弹性波元件还具备：按照在所述IDT电极上形成空间的方式设置在所述基板上的保护片材，
所述保护膜从所述保护片材上被形成。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，
还具备：搭载多个所述弹性波元件的共用基板，
所述保护膜按照覆盖所述共用基板上所搭载的多个所述弹性波元件的方式形成。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，
所述X超过1.00。
6.根据权利要求1～4中任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，
所述X不足1.00。
7.根据权利要求1～4中任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，
所述X不足0.60。
8.根据权利要求1～4中任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，
所述X超过0.2。
9.根据权利要求1～4中任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，
所述X不足0.60且超过0.2。
10.根据权利要求1～4中任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，
所述X为0。
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