[发明专利]含硅氧烷的可光图案化沉积抑制剂

权利要求书

1.形成图案化薄膜的方法，包括：

(a)提供基材；

(b)向基材施加包括可光图案化的沉积抑制剂材料的组合物，其中所述沉积抑制剂材料包括有机硅氧烷；

(c)将所述可光图案化的沉积抑制剂材料暴露于成象光化辐射以形成由处于第二曝光态的沉积抑制剂材料构成的图案，其中所述第二曝光态不同于第一涂覆态；

(d)通过处理所述曝光的可光图案化的沉积抑制剂材料将所述沉积抑制剂材料图案化，以提供充分地不具有所述沉积抑制剂材料的选区；和

(e)通过气相沉积工艺在基材上沉积功能材料层；其中所述功能材料基本上只沉积在基材上的不具有所述沉积抑制剂材料的选区内。

2.权利要求1的方法，进一步包括在沉积所述功能材料之后除去所述沉积抑制剂材料。

3.权利要求1的方法，其中所述有机硅氧烷是含有交联的乙烯基封端硅氧烷的聚合物。

4.权利要求1的方法，其中所述有机硅氧烷是氟化或部分氟化的有机硅氧烷。

5.权利要求1的方法，其中所述可光图案化沉积抑制剂材料进一步包括用于烯键式加成聚合的引发剂体系，此引发剂体系包含作为光引发剂的能够吸收成象光化辐射以达到激发态的染料。

6.权利要求1的方法，其中所述可光图案化沉积抑制剂材料除包括有机硅氧烷之外，进一步包括可光图案化的材料，所述可光图案化的材料包括至少一种在常压下沸点高于100℃的可加成聚合的烯键式不饱和化合物，其选自单体、低聚物或可交联的聚合物及其混合物。

7.权利要求6的方法，其中所述可光图案化的材料为多官能的丙烯酸酯。

8.权利要求1的方法，其中所述可光图案化沉积抑制剂材料进一步包括含环化的聚顺式异戊二烯的可光图案化的材料，并用双-叠氮化物针对UV辐射敏化，任选地用染料敏化剂针对可见光波长敏化。

9.权利要求1的方法，其中所述有机硅氧烷是可光图案化的并包括至少一种在常压下沸点高于100℃的可加成聚合的烯键式不饱和化合物，其选自单体、低聚物或可交联的聚合物及其混合物。

10.权利要求1的方法，其中所述可光图案化沉积抑制剂材料被暴露于穿过光掩模的光化辐射，或者在没有光掩模的情况下使用激光。

11.权利要求1的方法，其中所述功能材料为金属或包括含金属的化合物。

12.权利要求11的方法，其中所述含金属的化合物包含第V族或第VI族的阴离子。

13.权利要求11的方法，其中所述含金属的化合物为氧化物，氮化物，硫化物或磷化物。

14.权利要求11的方法，其中所述含金属的化合物包含锌、铝、钛、铪、锆和/或铟。

15.权利要求11的方法，其中所述金属为铜、钨、铝、镍、钌或铑。

16.权利要求1的方法，其中所述可光图案化沉积抑制剂材料在使用期间具有至少的抑制力。

17.权利要求1的方法，其中所述功能材料通过作为化学气相沉积或原子层沉积工艺的气相沉积工艺沉积。

18.权利要求17的方法，其中所述原子层沉积工艺包括空间相关的ALD。

19.采用权利要求1的方法制造的电子器件，其中所述电子器件选自集成电路、有源矩阵显示器、太阳能电池、有源矩阵成象仪、传感器和rf价格、识别或库存标签。