[发明专利]磁性存储器件,特别是用于硬盘驱动的磁性存储器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200880115794.9 申请日: 2008-11-07
公开(公告)号: CN101855672A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 吉尔斯·路易斯·高丁;皮埃尔-让·泽玛滕;伊万·密哈·米伦;阿兰·舒尔 申请(专利权)人: 国家科学研究中心;原子能和替代能源委员会;约瑟夫·傅立叶大学
主分类号: G11B5/855 分类号: G11B5/855
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 余朦;王艳春
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 磁性 存储 器件 特别是 用于 硬盘 驱动 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种磁性记录器件,包括:呈现至少一个单元磁性层的至少一个未构造的记录支撑体,通过所述记录支撑体与记录磁头的写入电极耦合,所述记录支撑体具有垂直于所述支撑体的平面的磁化,其特征在于,所述磁性记录器件包括磁性元件(46),所述磁性元件(46)具有垂直于所述记录支撑体(43)的平面的确定磁化,所述磁性元件(46)还具有大于所述记录支撑体(43)的反转场的反转场,并且所述磁性元件(46)通过去耦层(47)与所述记录支撑体(43)隔开,所述去耦层(47)由非磁性材料制成,并且所述去耦层(47)的厚度使得所述磁性元件(46)在所述记录支撑体(43)内仅产生偶极场,而不产生磁性交换耦合,所述磁性元件(46)由非磁性区域(41)彼此分隔开,在所述记录支撑体(43)上的写入操作期间,每个磁性元件(46)限定出所述记录支撑体(43)中的存储点。

2.根据权利要求1的器件,其特征在于,所述磁性元件(46)的反转场是所述记录支撑体(43)的反转场的1.1-20倍,特别是2-10倍。

3.根据权利要求1或2的器件,其特征在于,所述记录支撑体(43)和/或所述磁性元件(46)包括多个单元层。

4.根据权利要求1或2的器件,其特征在于,所述记录支撑体(43)由合金制成,特别是FePt、FePd、CoPt、TbFeCo、GdCo。

5.根据权利要求3的器件,其特征在于,所述记录支撑体(43)包括至少一个单元磁性双层,特别是Co/Pt、Co/Pd、Fe/Pt、Fe/Pd、Au/Co。

6.根据权利要求3的器件,其特征在于,所述记录支撑体(43)包括结合了金属和电介质或半导体的至少两个单元层,特别是Co/Si、Co/氧化铝。

7.根据权利要求1或2的器件,其特征在于,所述记录支撑体(43)由多晶材料制成。

8.根据前述任一项权利要求的器件,其特征在于,所述非磁性材料去耦层(47)的厚度在0.5-15nm之间。

9.根据前述任一项权利要求的器件,其特征在于,所述非磁性区域是在所述磁性元件(46)之间的空气间隙(41′)。

10.根据权利要求1-9中任一项的器件,其特征在于,所述非磁性区域(41)由非磁性固体材料制成,从而利用所述磁性元件形成基本为平面的层。

11.根据前述任一项权利要求的器件,其特征在于,包括所述记录支撑体(43)和所述磁性元件(46)的组件被设置在诸如硬盘的信息存储装置的衬底(16)的表面上。

12.根据权利要求11的器件,其特征在于,所述磁性元件(46)与所述存储装置的衬底的表面接触。

13.根据权利要求11的器件,其特征在于,所述记录支撑体(43)与所述存储装置的衬底的表面接触。

14.一种用于制造前述任一项权利要求的器件的方法,其特征在于,所述方法执行以下步骤:沉积一层或多层磁性材料,以形成未构造的记录支撑体(43);沉积非磁性材料去耦层(47);以及形成磁性元件(46)的阵列。

15.根据权利要求14的方法,其特征在于,在沉积所述一层或多层磁性材料以形成记录支撑体(43)之前形成磁性元件(46)的阵列。

16.根据权利要求14的方法,其特征在于,在沉积所述一层或多层磁性材料以形成记录支撑体(43)之后形成磁性元件(46)的阵列。

17.根据权利要求15或16的方法,其特征在于,为了形成所述磁性元件(46)的阵列,执行以下步骤:沉积非磁性材料层(51′),然后通过限定出用于形成所述磁性元件(46)的位置以对所述非磁性材料层(51′)进行构造,然后沉积至少一层磁性材料(48),然后进行平坦化直至所述非磁性材料(48)。

18.根据权利要求15或16的方法,其特征在于,为了形成所述磁性元件(46)的阵列,执行以下步骤:沉积一层或多层磁性材料(48),对所述一层或多层磁性材料(48)进行构造,以允许保留所述磁性元件(46),然后沉积非磁性材料层(51),随后对其进行平坦化。

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