[发明专利]具最小压降的供电线的半导体芯片有效

专利信息
申请号: 200880114587.1 申请日: 2008-10-27
公开(公告)号: CN101849286A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 郑镛益;韩大根;金大成;罗俊皞 申请(专利权)人: 硅工厂股份有限公司
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60;G05F1/00
代理公司: 北京华夏博通专利事务所 11264 代理人: 刘俊
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 最小 电线 半导体 芯片
【权利要求书】:

1.一种具最小压降的供电线的半导体芯片,该半导体芯片包括:

至少二供电极板,从该半导体芯片的一外部单元施加一电源电压给该等供电极板;

复数个供电主金属线,连接到该等供电极板;

复数个供电分支金属线,从该等供电主金属线的每一个延伸出来,用以传送该电源电压给该半导体芯片内的电路;以及至少一静电放电(ESD)改良仿真极板,其中该静电放电改良仿真极板电气连接至该相对应的供电主金属线与该相对应的供电分支金属线,以最小化一压降。

2.如权利要求2所述的半导体芯片,其中该ESD改良仿真极板设置于该供电主金属线与该供电分支金属线间交叉处或沿该半导体芯片的边缘设置。

3.如权利要求2所述的半导体芯片,其中该ESD改良仿真极板在离该供电极板的最远处设置。

4.如权利要求1所述的半导体芯片,其中该等供电主金属线的每一个沿该半导体芯片的边缘设置,且该供电主金属线具有一大于该供电分支金属线之宽度的宽度。

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