[发明专利]用于本地互连网络(LIN)总线和类似物的装置接口的自适应静电放电(ESD)保护

权利要求书

1.一种具有自适应静电放电(ESD)保护和噪声信号抑制的集成电路装置，其包括：

外部连接，其适于连接到数据总线；

数据总线接口，其耦合到所述外部连接；

电路功能件，其耦合到所述数据总线接口；

ESD保护电路，其耦合到所述外部连接和所述集成电路装置的共用区；

ESD增强电容器，其耦合到所述外部连接；

ESD电容器控制，其中当所述ESD电容器控制的输入处于第一电压时，所述ESD电容控制将所述ESD增强电容器耦合到所述ESD保护电路中，且当所述ESD电容器控制的所述输入处于第二电压时，所述ESD电容控制使所述ESD增强电容器从所述ESD保护电路去耦；

高通滤波器，其耦合到所述外部连接，其中所述高通滤波器放行高频噪声信号，但不放行低频数据信号；以及

信号振幅检测器，其耦合到所述高通滤波器，其中当所述高频噪声信号存在于所述外部连接上时，所述信号振幅检测器将所述第二电压施加到所述ESD电容器控制，且当所述外部连接上实质上不存在高频噪声信号时，所述信号振幅检测器将所述第一电压施加到所述ESD电容器控制。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述数据总线接口是数据总线接收器。

3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述数据总线接口是数据总线驱动器。

4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述数据总线接口是数据总线驱动器和接收器。

5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述高频噪声信号是直接功率注入(DPI)信号。

6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述高频噪声信号是电磁干扰(EMI)信号。

7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述ESD保护电路包括第一金属氧化物半导体(MOS)装置。

8.根据权利要求7所述的集成电路装置，其中所述第一MOS装置被配置为具有实质上接地的栅极。

9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述ESD电容器控制包括第二金属氧化物半导体(MOS)装置，所述第二MOS装置具有耦合到所述信号振幅检测器的输出的栅极。

10.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述信号振幅检测器在于所述外部连接上检测到所述高频噪声信号之后延迟所述第二电压。

11.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述信号振幅检测器包括信号检测二极管和低通滤波器。

12.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述电路功能件是数字逻辑功能件。

13.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述电路功能件是模拟电路功能件。

14.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述电路功能件是混合信号电路功能件。

15.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述ESD电容器控制包括金属氧化物半导体(MOS)装置和低值电阻器，所述ESD增强电容器连接到所述低值电阻器，其中当所述ESD电容器控制的所述输入处于所述第二电压时，所述MOS装置使所述低值电阻器和所述ESD增强电容器从所述ESD保护电路去耦。

16.根据权利要求15所述的集成电路装置，当所述MOS装置将所述低值电阻器和ESD增强电容器耦合到所述集成电路装置的所述共用区时，所述ESD增强电容器从所述ESD保护电路去耦。

17.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述ESD电容器控制包括金属氧化物半导体(MOS)装置、双极晶体管和低值电阻器，所述ESD增强电容器连接到所述低值电阻器，其中当所述ESD电容器控制的所述输入处于所述第二电压时，所述双极晶体管使所述低值电阻器和所述ESD增强电容器从所述ESD保护电路去耦。

18.根据权利要求1所述的集成电路装置，其进一步包括耦合在所述外部连接与所述ESD增强电容器和所述ESD电容器控制之间的二极管。

19.根据权利要求18所述的集成电路装置，其中所述二极管是在所述集成电路装置制造期间形成的垂直PNP装置。