[发明专利]高聚合物含量的混合减阻剂

权利要求书

1.减阻组合物，包含：

(a)连续相；

(b)分散在所述连续相中的包含第一减阻聚合物的多种第一粒子，其中所述第一粒子具有约25微米到约1,500微米的平均粒度；和

(c)分散在所述连续相中的包含第二减阻聚合物的多种第二粒子，其中所述第二粒子的平均粒度小于约10微米。

2.权利要求1的组合物，其中所述第一粒子的平均粒度为100到700微米，其中所述第二粒子的平均粒度为10到500纳米。

3.权利要求1的组合物，其中所述组合物具有至少约35重量％的所述第一减阻聚合物和第二减阻聚合物的累积浓度。

4.权利要求1的组合物，其中所述组合物具有约40重量％到约75重量％的所述第一减阻聚合物和第二减阻聚合物的累积浓度。

5.权利要求1的组合物，其中所述组合物具有约10重量％到约30重量％的所述第一减阻聚合物浓度。

6.权利要求1的组合物，其中所述组合物具有约15重量％到约50重量％的所述第二减阻聚合物浓度。

7.权利要求1的组合物，其中所述第一粒子的至少一部分是由通过本体聚合制备的聚合物形成的。

8.权利要求1的组合物，其中所述第二粒子的至少一部分是通过乳液聚合形成的。

9.权利要求1的组合物，其中所述第一减阻聚合物包含与所述第二减阻聚合物中的所有单体残基不同的至少一种单体残基。

10.权利要求1的组合物，其中所述第一减阻聚合物是聚α烯烃聚合物，和所述第二减阻聚合物是非聚α烯烃聚合物。

11.权利要求1的组合物，其中所述第一减阻聚合物包含具有2到40个碳原子的一种或多种α烯烃单体的残基的重复单元。

12.权利要求1的组合物，其中所述第二减阻聚合物包含的残基重复单元来自选自以下的一种或多种单体：

其中R₁是H或C1-C10烷基基团，和R₂是H、C1-C30烷基基团、C5-C30被取代的或未被取代的环烷基基团、C6-C20被取代的或未被取代的芳基基团、芳基-取代的C1-C10烷基基团、-(CH2CH2O)_x-R_A或-(CH2CH(CH3)O)_x-R_A基团，其中x在1-50的范围内且R_A是H、C1-C30烷基基团、或C6-C30烷基芳基基团；

(B)

R₃-芳烃-R₄

其中芳烃是苯基、萘基、蒽基、或菲基，R₃是CH＝CH₂或CH₃-C＝CH₂，和R₄是H、C1-C30烷基基团、C5-C30被取代的或未被取代的环烷基基团、Cl、SO₃，OR_B、或COOR_C，其中R_B是H、C1-C30烷基基团、C5-C30被取代的或未被取代的环烷基基团、C6-C20被取代的或未被取代的芳基基团、或芳基-取代的C1-C10烷基基团，和其中R_C是H、C1-C30烷基基团、C5-C30被取代的或未被取代的环烷基基团、C6-C20被取代的或未被取代的芳基基团、或芳基-取代的C1-C10烷基基团；

其中R₅是H、C1-C30烷基基团、或C6-C20被取代的或未被取代的芳基基团；

其中R₆是H、C1-C30烷基基团、或C6-C20被取代的或未被取代的芳基基团；

其中R₇是H或C1-C18烷基基团，和R₈是H、C1-C18烷基基团、或Cl；

其中R₉和R₁₀独立地为H、C1-C30烷基基团、C6-C20被取代的或未被取代的芳基基团、C5-C30被取代的或未被取代的环烷基基团、或杂环基团；

其中R₁₁和R₁₂独立地为H、C1-C30烷基基团、C6-C20被取代的或未被取代的芳基基团、C5-C30被取代的或未被取代的环烷基基团、或杂环基团；

其中R₁₃和R₁₄独立地为H、C1-C30烷基基团、C6-C20被取代的或未被取代的芳基基团、C5-C30被取代的或未被取代的环烷基基团、或杂环基团；

其中R₁₅是H、C1-C30烷基基团、C6-C20被取代的或未被取代的芳基基团、C5-C30被取代的或未被取代的环烷基基团、或杂环基团；

其中R₁₆是H、C1-C30烷基基团、或C6-C20芳基基团；

其中R₁₇和R₁₈独立地为H、C1-C30烷基基团、C6-C20被取代的或未被取代的芳基基团、C5-C30被取代的或未被取代的环烷基基团、或杂环基团；和

其中R₁₉和R₂₀独立地为H、C1-C30烷基基团、C6-C20被取代的或未被取代的芳基基团、C5-C30被取代的或未被取代的环烷基基团、或杂环基团。