[发明专利]具有改善的光输出的LED设备有效
申请号: | 200880110826.6 | 申请日: | 2008-09-16 |
公开(公告)号: | CN101821851A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 罗纳德·史蒂文·科克;保罗·詹姆斯·卡恩;迈克尔·尤金·米勒 | 申请(专利权)人: | 全球OLED科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改善 输出 led 设备 | ||
1.一种白光发射微腔发光二极管设备,该设备包括:
a)基板;
b)形成在所述基板之上的反射电极和半透明电极、以及形成在所述 反射电极和所述半透明电极之间的未构图的白光发射层,所述反射电极、 半透明电极和未构图的白光发射层形成光学腔,并且其中,对所述反射 电极或半透明电极进行构图,以形成多个可独立控制的发光子像素元件;
c)多个滤色器,其对应于所述可独立控制的发光元件而形成在所述 半透明电极的与所述未构图的白光发射层相对的一侧上,以形成彩色子 像素,所述多个滤色器具有至少两种不同的颜色,并且其中,至少一个 可独立控制的发光元件具有至少两个共同受控的部分,所述至少两个共 同受控的部分一起发射白光以形成白色子像素;并且
d)其中,所述白色子像素的一个或更多个共同受控的部分的所述光 学腔包括多个光学微腔,各光学微腔被调整为在发射角度上以不同的互 补波长发光;
其中,所述白色子像素的所述共同受控的部分中的至少一个部分被 调整为以与所述彩色子像素的峰值波长不同的峰值波长发光。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述白色子像素的所述共同 受控的部分中的一个部分在相对于所述基板的法线角度上发射蓝光,而 所述共同受控的部分中的另一个部分在相对于所述基板的法线角度上发 射黄光。
3.根据权利要求2所述的设备,其中,所述黄光具有大于550nm 的峰值发射,而所述蓝光具有小于500nm的峰值发射。
4.根据权利要求1所述的设备,该设备还包括形成在所述共同受控 的部分中的一个部分之上的滤色器,该滤色器透射在相对于所述基板的 法线角度上发射的光,并且吸收在非法线的角度上发射的光。
5.根据权利要求1所述的设备,其中,所述白色子像素的所述共同 受控的部分中的一个部分具有与所述白色子像素的所述共同受控的部分 中的另一个部分不同的尺寸的区域。
6.根据权利要求1所述的设备,其中,调整所述白色子像素的发射, 以在设备白点处发光。
7.根据权利要求1所述的设备,其中,调整所述白色子像素的发射, 以在设备的除白点之外的白点处发光。
8.根据权利要求1所述的设备,其中,调整所述白色子像素的发射, 以最小化所述白色子像素的平均发射和在多于一个角度上的设备白点之 间的差。
9.根据权利要求1所述的设备,其中,从所述白色子像素的各个所 述共同受控的部分发射的光的波长在不同的视角上变化,并且其中,来 自所述共同受控的部分的组合光发射的白点变化小于由于至少一个所述 共同受控的部分的波长变化而引起的白点变化。
10.根据权利要求1所述的设备,其中,所述彩色子像素的所述光 学腔被调到与相应的滤色器的峰值传输波长相对应的峰值波长。
11.根据权利要求1所述的设备,其中,所述白色子像素的所述光 学微腔被调到与所述白光发射层的峰值发射波长相对应的一个或更多个 峰值波长。
12.根据权利要求1所述的设备,其中,所述白光发射层的峰值发 射波长被匹配到相应的滤色器的峰值传输波长。
13.根据权利要求1所述的发光二极管设备,其中,调整所述白色 子像素的所述光学微腔以发射黄光和蓝光,或红光和青光,或橙光和青 光。
14.根据权利要求13所述的发光二极管设备,其中,所述黄光具有 大于550nm的峰值发射,而所述蓝光具有小于550nm的峰值发射。
15.根据权利要求1所述的发光二极管设备,其中,所述白光发射 层发射其光谱具有两个或更多个峰值的光。
16.根据权利要求1所述的发光二极管设备,其中,所述发光二极 管设备是信息显示设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的