[发明专利]具有粘接的半导体波长转换器的发光二极管无效

专利信息
申请号: 200880110752.6 申请日: 2008-09-09
公开(公告)号: CN101821866A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 托米·W·凯利;迈克尔·A·哈斯;凯瑟琳·A·莱瑟达勒;特里·L·史密斯 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 梁晓广;关兆辉
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 半导体 波长 转换器 发光二极管
【权利要求书】:

1.一种能被切分成多个发光二极管(LED)的半导体叠堆,包括:

发光二极管(LED)晶片,该发光二极管晶片包括设置在LED衬底 上的LED半导体层的第一叠堆,所述LED晶片的至少一部分具有第一 纹理化表面;

多层半导体波长转换器,该多层半导体波长转换器被构造为在转 换所述LED层中产生的光的波长时是有效的;以及

粘合层,该粘合层将所述LED晶片贴附到所述波长转换器。

2.根据权利要求1所述的晶片,其中所述第一纹理化表面位于所 述LED晶片的背向所述LED衬底的表面上。

3.根据权利要求1所述的晶片,其中所述粘合层是聚合物层。

4.根据权利要求1所述的叠堆,其中所述波长转换器的第一侧面 的至少一部分包括第二纹理化表面。

5.根据权利要求4所述的叠堆,其中所述波长转换器的第二侧面 的至少一部分具有纹理化表面。

6.根据权利要求1所述的叠堆,其中所述LED衬底包括背向LED 半导体层叠堆的第一侧面,所述LED衬底的第一侧面的至少一部分包 括第三纹理化表面。

7.根据权利要求1所述的叠堆,还包括粘接在所述LED衬底和 LED半导体层之间的反射粘合层。

8.根据权利要求7所述的叠堆,其中所述反射粘合层是金属层。

9.根据权利要求6所述的叠堆,还包括位于所述LED半导体层和 LED衬底之间的第四纹理化表面。

10.根据权利要求1所述的叠堆,其中所述半导体波长转换器包 括II-VI半导体材料。

11.根据权利要求1所述的叠堆,其中所述粘合层包括设置在粘 接材料中的无机粒子。

12.一种制造波长转换发光二极管的方法,包括:

提供发光二极管(LED)晶片,该LED晶片包括设置在衬底上的一 组LED半导体层,并且该LED晶片具有纹理化表面;

提供多层半导体波长转换器晶片,该多层半导体波长转换器晶片 被构造为在转换所述LED层中产生的光的波长时是有效的;

利用设置在所述LED晶片和所述转换器晶片之间的粘合层,将所 述转换器晶片粘接到LED晶片以产生LED/转换器晶片;以及

将各个转换的LED晶粒从LED/转换器晶片分离。

13.根据权利要求12所述的方法,其中将所述转换器晶片粘接到 所述LED晶片包括将所述LED晶片粘接到所述LED晶片的纹理化表 面。

14.根据权利要求12所述的方法,其中将所述转换器晶片粘接到 所述纹理化表面包括使用聚合物材料将所述转换器晶片粘接到所述纹 理化表面。

15.根据权利要求12所述的方法,还包括蚀刻穿过所述转换器晶 片以暴露所述LED晶片的第一侧面的电连接区域。

16.根据权利要求12所述的方法,其中分隔各个转换的LED晶粒 包括使用锯来切分所述LED/转换器晶片。

17.根据权利要求12所述的方法,还包括在将所述转换器晶片粘 接到所述纹理化表面后,从所述转换器晶片移除转换器衬底。

18.根据权利要求12所述的方法,其中将所述转换器晶片粘接到 所述纹理化表面包括将所述转换器晶片的第一侧面粘接到所述纹理化 表面,并且还包括使所述转换器晶片的第一侧面纹理化。

19.根据权利要求18所述的方法,还包括使所述转换器晶片的第 二侧面纹理化。

20.根据权利要求12所述的方法,还包括利用反射粘合层将所述 LED半导体层粘接到LED衬底。

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