[发明专利]测定试样电性能的方法

权利要求书

1.一种利用所谓的霍尔效应测定试样电性能的方法，所述的试样包括 非导电区和测试区，所述测试区是导电或半导电测试区域，所述测试区域 形成为衬底上或衬底中的薄膜，在所述非导电区和所述测试区之间限定分 界线，所述方法包括利用测试探针，该测试探针包括具有平整探针表面的 探针主体和从所述探针主体延伸的平行于所述平整探针表面的第一多个 探针臂，所述探针进一步包括第一多个导电针头，每个针头都被各自的探 针臂支撑，所述导电针头用来建立与所述测试区的电连接，

所述方法包括以下步骤：

提供磁力线垂直穿过所述测试区的磁场；

将所述探针带入所述测试区上的第一位置，所述第一多个导电针头与 所述测试区接触；

测定每个所述第一多个导电针头与所述分界线之间的最短距离；

测定每个所述第一多个导电针头之间的距离；

选择一个导电针头作为电流源，选择所述一个导电针头以便所述一个 导电针头位于用于测定所述试样电压的第一和第二导电针头之间；

改变所述一个导电针头和所述分界线的最短距离与所述第一和所述 第二导电针头之间距离的比率，进行一系列的测量；

基于所述一系列的测量计算所述导电测试区的电性能；

其中所述一系列的测量是由在多个不同位置进行的测量组成的。

2.根据权利要求1的方法，其中所述一系列的测量是由对每个测量 利用不同的导电针头作为电流源进行的测量组成的。

3.根据权利要求1－2任一项的方法，其中所述的分界线是线形的、 矩形的、箱形的、正方形的、三角形的、圆形的或这些形状的任意组合。

4.根据权利要求1－2任一项的方法，其中所述的分界线是多边形的。

5.根据权利要求1－2任一项的方法，其中所述的分界线是任意形状 的。

6.根据权利要求1的方法，其中所述磁场是静止的，或者所述磁场 是变化的。

7.根据权利要求6的方法，其中所述磁场具有200mT－700mT的场强。

8.根据权利要求6的方法，其中所述磁场具有400mT－600mT的场强。

9.根据权利要求6的方法，其中所述磁场具有500mT的场强。

10.根据权利要求1的方法，其中所述第一多个导电针头定位在一条 直线上。

11.根据权利要求10的方法，其中在所述测量期间，所述探针是定 向的，以便所述第一多个导电针头平行于所述分界线的一部分定位。

12.根据权利要求1的方法，其中所述不同位置是通过将所述探针从 一个位置移动到另一个位置同时所述第一多个导电针头与所述导电测试 区接触来达到的。

13.根据权利要求1的方法，其中所述不同位置是在使所述第一多个 导电针头与所述导电测试区在新位置接触之前通过移动所述探针臂不与 所述导电测试区接触，并使所述探针相对所述导电测试区移动而达到的。

14.根据权利要求1的方法，其中所述电性能是薄膜电阻和/或活性 注入剂量和/或载流子迁移率。

15.根据权利要求1的方法，其中测量数据被拟合为数据模型。

16.根据权利要求1的方法，其中所述方法进一步包括计算修正因数 或修正函数，使得所述测量符合理论数据。

17.根据权利要求1的方法，其中所述测试区限定一尺寸，该尺寸允 许利用用于无限薄片计算的等式进行所述测量和所述计算。

18.根据权利要求1的方法，其中所述方法包括利用数值方法。

19.根据权利要求1的方法，其中所述方法包括利用有限元法。

20.一种利用所谓的霍尔效应测定试样电性能的方法，所述试样包括 非导电区和导电测试区域，所述导电测试区域形成为衬底上或衬底中的薄 膜，在所述非导电区和所述导电测试区之间限定分界线，所述方法包括利 用测试探针，该测试探针包括具有平整探针表面的探针主体和从所述探针 主体延伸的平行于所述平整探针表面的四个探针臂，所述探针进一步包括 四个导电针头，每个针头都被各自的探针臂支撑，所述导电针头用来建立 与所述测试区的电连接，

所述方法包括以下步骤：

提供垂直于所述导电测试区的磁场；

将所述探针带入所述导电测试区上的第一位置，所述四个导电针头与 所述导电测试区接触；

测定所述四个导电针头的每个相对所述分界线的位置；

测定所述四个导电针头每个之间的距离；

选择一个导电针头作为电流源，选择所述一个导电针头以便所述一个 导电针头位于用于测定所述试样电压的第一和第二导电针头之间；

通过向所述一个导电针头施加电流并确定所述第一和第二导电针头 两端的所述电压，进行第一测量；

将所述探针移动到远离所述第一位置的第二位置；

通过向所述一个导电针头施加电流并测定所述第一和第二导电针头 两端的电压，进行第二测量；

基于所述第一和第二测量计算所述导电测试区的电性能。