[发明专利]无铅导电组合物以及用于制造半导体装置的方法:含镁添加剂

权利要求书

1.结构，所述结构包括：

(a)厚膜组合物，所述厚膜组合物包含：

a)导电银粉；

b)一种或多种玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一种为无铅的；

c)含镁添加剂，其中所述含镁添加剂选自(a)镁，(b)镁的金属氧化物，(c)在焙烧时可生成镁的金属氧化物的任何化合物，以及(d)它们的混合物，分散于

d)有机介质；

(b)一个或多个基板；

其中，在焙烧时，所述有机介质被移除并且所述玻璃料和银粉被烧结。

2.权利要求1的结构，其中所述含镁添加剂为MgO。

3.权利要求2的结构，其中所述含镁添加剂为所述总组合物的0.1至10重量％。

4.权利要求1的结构，其中所述结构为半导体装置。

5.权利要求4的结构，其中所述半导体装置还包括一个或多个绝缘膜。

6.权利要求5的结构，其中，在焙烧时，所述一个或多个绝缘膜被所述厚膜组合物的组分穿透。

7.权利要求4的结构，其中所述半导体装置为太阳能电池。

8.权利要求1的结构，其中所述厚膜组合物还包含选自下列的附加添加剂：(a)金属，其中所述金属选自锌、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(b)一种或多种金属的金属氧化物，所述金属选自锌、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(c)在焙烧时可生成(b)的金属氧化物的任何化合物；以及(d)它们的混合物。

9.权利要求1的结构，其中所述玻璃料包括：占所述玻璃料的8-25重量％的Bi₂O₃、B₂O₃，并且还包括选自下列的一种或多种组分：SiO₂、P₂O₅、GeO₂、和V₂O₅。

10.权利要求5的结构，其中所述绝缘膜包含选自下列的一种或多种组分：氧化钛、氮化硅、SiNx:H、氧化硅、以及氧化硅/氧化钛。

11.制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)提供一个或多个半导体基板、一个或多个绝缘膜、以及厚膜组合物，其中所述厚膜组合物包含：a)导电银，b)一种或多种玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一种为无铅的，c)含镁添加剂，分散于d)有机介质中，

(b)将所述绝缘膜施加在所述半导体基板上，

(c)将所述厚膜组合物施加在所述半导体基板上的绝缘膜上，以及

(d)焙烧所述半导体、绝缘膜和厚膜组合物，

其中在焙烧时，所述有机载体被移除，并且所述银和玻璃料被烧结。

12.厚膜组合物，所述厚膜组合物包含：

a)导电银；

b)一种或多种玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一种为无铅的；

c)含镁添加剂，所述含镁添加剂选自(a)镁，(b)镁的金属氧化物，(c)在焙烧时可生成镁的金属氧化物的任何化合物，以及(d)它们的混合物，分散于

d)有机介质。

13.权利要求12的组合物，其中所述含镁添加剂为MgO。

14.权利要求13的组合物，其中所述含镁添加剂为总组合物的0.1至10重量％。

15.权利要求12的组合物，其中所述厚膜组合物还包含选自下列的附加添加剂：(a)金属，其中所述金属选自锌、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(b)一种或多种金属的金属氧化物，所述金属选自锌、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(c)在焙烧时可生成(b)的金属氧化物的任何化合物；以及

(d)它们的混合物。

16.权利要求12的组合物，其中所述玻璃料包括：占所述玻璃料的8-25重量％的Bi₂O₃、B₂O₃，并且还包括选自下列的一种或多种组分：SiO₂、P₂O₅、GeO₂、和V₂O₅。