[发明专利]充电控制装置及利用该充电控制装置的电子设备

权利要求书

1.一种充电控制装置，监控二次电池的充电电流，以使该电流值成为 在装置内部预先设定的目标值和由装置外部任意设定的目标值中的最小 值的方式进行所述二次电池的充电控制，

在装置内部至少预先设置与周围温度相应的目标值、与系统的消耗电 流相应的目标值、及与连接在外部的电力供给源的规格相应的目标值，以 使充电电流的电流值成为这些在装置内部预先设定的目标值和由装置外 部任意设定的目标值中的最小值的方式进行所述二次电池的充电的控制。

2.根据权利要求1所述的充电控制装置，其特征在于，

与周围温度相应的目标值被设定为周围温度越高其值越小的值。

3.根据权利要求2所述的充电控制装置，其特征在于，

检测周围温度的温度检测器具有以不同的发射极电流密度进行动作 的一对PNP型双极性晶体管，利用两晶体管的基极发射极间电压之差基于 周围温度变动的特性来生成负特性的温度检测信号。

4.根据权利要求1所述的充电控制装置，其特征在于，具备：

第一感测电阻，其将来自作为电源的USB主机或电源适配器的供给 电流变换为第一电压信号；

第一放大器，其对所述第一电压信号进行放大，以生成与所述供给电 流相应的供给电流检测信号；

第一晶体管，该第一晶体管根据其导通度控制来增减所述供给电流的 电流值；

第二感测电阻，其将从所述供给电流中减去负载的消耗电流之后的二 次电池的充电电流变换为第二电压信号；

第二放大器，其对所述第二电压信号进行放大，以生成与所述充电电 流相应的充电电流检测信号；

第二晶体管，该第二晶体管根据其导通度控制来增减所述充电电流的 电流值；和

充电控制部，其基于所述供给电流检测信号及所述充电电流检测信号 来控制所述第一晶体管及所述第二晶体管的导通度。

5.根据权利要求4所述的充电控制装置，其特征在于，还具有：

第一端子，其外部连接有所述电源及所述第一感测电阻的第一端；

第二端子，其外部连接所述第一感测电阻的第二端，并且内部连接所 述第一晶体管的第一端；

第三端子，其外部连接所述负载及所述第二感测电阻的第一端，并且 内部连接所述第一晶体管的第二端；

第四端子，其外部连接所述第二感测电阻的第二端，并且内部连接所 述第二晶体管的第一端；和

第五端子，其外部连接所述二次电池的正极端，并且内部连接所述第 二晶体管的第二端。

6.根据权利要求5所述的充电控制装置，其特征在于，还具有：

比较部，其从所述第二端子接受电力供给而进行驱动，对所述第二端 子的施加电压与所述第三端子的施加电压进行比较，若所述第二端子的施 加电压比所述第三端子的施加电压高，则生成高电平的比较信号，若所述 第二端子的施加电压比所述第三端子的施加电压低，则生成低电平的比较 信号；

反相器，其从所述第三端子接受电力供给而进行驱动，通过对从所述 比较部直接输入或者经由缓冲器输入的所述比较信号进行逻辑反相，从而 生成反相比较信号；

第一P沟道型场效应晶体管，其被连接在所述第一晶体管的背栅与所 述第二端子之间，根据所述反相比较信号对其进行导通/截止控制；

第二P沟道型场效应晶体管，其被连接在所述第一晶体管的背栅与所 述第三端子之间，根据从所述比较部直接输入或经由缓冲器输入的所述比 较信号对其进行导通/截止控制；和

电阻，其断开所述反相器的输入端与所述第二P沟道型场效应晶体管 的栅极。

7.根据权利要求6所述的充电控制装置，其特征在于，还具有：

第三P沟道型场效应晶体管，其被连接在所述第一晶体管的栅极与所 述第二端子之间，并根据所述反相比较信号对其进行导通/截止控制；和

第四P沟道型场效应晶体管，其被连接在所述第一晶体管的栅极与所 述第三端子之间，并根据从所述比较部直接输入或者经由缓冲器输入的所 述比较信号对其进行导通/截止控制。

8.一种电子设备，具有：权利要求1～4中任意一项所述的充电控制 装置、和由所述充电控制装置进行充电控制的二次电池。