[发明专利]电接触元件及其产生方法无效
申请号: | 200880109844.2 | 申请日: | 2008-09-25 |
公开(公告)号: | CN101821906A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 约切恩·霍恩;沃尔特·米勒;赫尔格·施米特;汉尼斯·温德林 | 申请(专利权)人: | 泰科电子AMP有限责任公司 |
主分类号: | H01R13/03 | 分类号: | H01R13/03;C25D5/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 葛飞 |
地址: | 德国本*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 元件 及其 产生 方法 | ||
1.一种产生电接触元件的方法,其中多层结构(2)通过将扩散阻隔层(4)施加到基材(6)以及将由金属形成的至少一个金属层(14)施加到所述扩散阻隔层(4)而形成,由锡形成的至少一个层被作为所述金属层施加,其特征在于,热处理所述多层结构(2)以使得位于所述多层结构(2)的外层(8)下面的所述层(14)的至少一种元素扩散到所述外层(8)中并且所述热处理过的外层(8a)包括锡。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,执行完全遍及所述多层结构(2)的热促进扩散。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述外层(8)与至少一种元素彻底合金化直达其表面(10)。
4.如权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,由不同金属形成的至少两个金属层(14)被施加到所述扩散阻隔层(4)并且层(14a)的元素通过扩散混合在一起。
5.根据前述任一权利要求所述的方法,其特征在于,所述外层(8)是由锡形成。
6.如前述任一权利要求所述的方法,其特征在于,至少一个层(14)选自以下的组:银、金、铋、铁、铟、锌、镉、锡和/或钯,其形成在所述外层(8)的下面。
7.如前述任一权利要求所述的方法,其特征在于,磷层(16b)额外地形成在所述外层下面,所述层(16b)扩散到所述外层中。
8.如前述任一权利要求所述的方法,其特征在于,所述扩散阻隔层(4)是由镍形成。
9.一种电接触元件,具有:
导电基材(6);和
涂层(2),其形成在所述导电基材(6)的至少一部分上,所述涂层(2)包括形成在所述基材(6)上的扩散阻隔层(4)和包含锡的外层(8a),
其特征在于,所述涂层的所述外层(8a)是通过将锡和至少一种其它金属元素进行扩散而混合的层(8a)。
10.如权利要求9所述的接触元件,其特征在于,所述外层(8a)是彻底合金化的层。
11.如权利要求9或10所述的接触元件,其特征在于,所述外层(8a)包括包含锡和至少一种元素的合金,该元素选自以下的组:银、金、铋、铁、铟、锌、镉和钯。
12.如权利要求11所述的接触元件,其特征在于,所述合金额外地包括磷。
13.根据权利要求9-12的任一项所述的接触元件,其特征在于,所述扩散阻隔层(4)由镍形成。
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