[发明专利]耐腐蚀性铝合金基材及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200880109629.2 申请日: 2008-08-22
公开(公告)号: CN101809207A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: T·L·莱温杜斯基;A·L·阿斯金;J·D·古斯利;L·F·维加;K·M·罗巴里;C·泽迪亚克;W·C·里;J·索希 申请(专利权)人: 美铝公司
主分类号: C25D11/08 分类号: C25D11/08;C25D11/16;C25D11/24;C23C18/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李帆
地址: 美国宾夕*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 腐蚀性 铝合金 基材 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于制备耐腐蚀性铝合金基材的方法,包括:

(a)在铝合金基底中产生厚度至少5微米的多孔硫酸盐-磷酸盐 氧化物区域,其中该产生步骤包括:通过包含磷酸和硫酸两者的电解 质将铝合金基底表面电化学氧化;其中所述电解质中硫酸与磷酸的重 量比为5∶1至100∶1;和

(b)形成与硫酸盐-磷酸盐氧化物区域的至少一部分结合的含硅 聚合物区域,所述含硅聚合物区域包含聚硅氧烷和聚硅氮烷中的至少 一种。

2.权利要求1的方法,其中所述形成含硅聚合物区域的步骤包 括:

在所述多孔硫酸盐-磷酸盐氧化物区域的至少一部分上沉积胶体; 和

将胶体固化从而在铝合金基底表面上形成涂层,其中该涂层包含 含硅聚合物。

3.权利要求2的方法,包括:

与所述沉积步骤和固化步骤中的至少一个相伴随,用所述含硅聚 合物填充所述多孔硫酸盐-磷酸盐氧化物区域的至少一些孔隙。

4.权利要求2-3中任一项的方法,其中所述产生步骤包括:

在所述多孔硫酸盐-磷酸盐氧化物区域内制造孔隙,其中所述孔隙 的平均孔隙尺寸符合于所述含硅聚合物区域的含硅聚合物的回转半 径。

5.权利要求4的方法,其中所述含硅聚合物是聚硅氧烷和聚硅氮 烷之一,并且其中所述平均孔隙尺寸为10纳米到15纳米。

6.权利要求1-3中任一项的方法,其中所述电化学氧化步骤包 括:

以0.74-2.23安培每平方米的电流密度以及6-18伏特的电压向 电解质施加电流;和

将电解质保持在24℃至38℃的温度。

7.权利要求1-3中任一项的方法,还包括:

在所述产生步骤之前,用预处理剂预处理铝合金基底表面。

8.权利要求7的方法,其中所述预处理步骤包括:

向铝合金基底表面施加化学增亮组合物形式的预处理剂,其中该 化学增亮组合物包括硝酸、磷酸和硫酸中的至少一种。

9.权利要求7的方法,其中所述预处理步骤包括:

向铝合金基底表面施加碱性清洗剂形式的预处理剂。

10.权利要求1-3中任一项的方法,还包括:

在形成含硅聚合物区域的步骤之前,将染料和乙酸镍溶液中的至 少一者施加到多孔硫酸盐-磷酸盐氧化物区域的至少一部分。

11.权利要求1-3中任一项的方法,其中铝合金基底、硫酸盐- 磷酸盐氧化物区域和含硅聚合物区域至少部分限定了耐腐蚀铝合金基 材,并且其中该耐腐蚀铝合金基材能够通过由ASTM B368-97(2003)e1 定义的铜加速乙酸盐雾试验(CASS)。

12.权利要求1-3中任一项的方法,其中所述电解质由硫酸和磷 酸组成。

13.权利要求1-3中任一项的方法,其中所述硫酸盐-磷酸盐氧化 物区域包括单质铝、硫、磷和氧及其化合物。

14.权利要求1-3中任一项的方法,其中所述电解质中硫酸与磷 酸的重量比为10∶1至100∶1。

15.权利要求1-3中任一项的方法,其中所述电解质中硫酸与磷 酸的重量比为20∶1至100∶1。

16.权利要求1-3中任一项的方法,其中所述电解质中硫酸与磷 酸的重量比不大于75∶1。

17.权利要求1-3中任一项的方法,其中所述电解质包含至少0.1 重量%的磷酸。

18.权利要求1-3中任一项的方法,其中所述电解质包含不大于 5重量%的磷酸。

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