[发明专利]包括掺硼-氟应力构件的保偏和单偏振光纤

权利要求书

1.一种光纤，包括：

(i)纤芯，

(ii)包围所述纤芯的包层，

(iii)毗邻所述纤芯且位于所述包层内的至少一个应力构件，所述应力构件包括用B和F共同掺杂的二氧化硅。

2.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述中心纤芯是基于二氧化硅的，且被所述应力构件包围，所述应力构件是掺硼-氟的二氧化硅的环形区。

3.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，至少一个应力构件包括位于所述纤芯的相对两侧上的至少两个应力杆。

4.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，还包括在工作波长下大于或等于15的偏振消光比。

5.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，在工作波长下呈现出小于0.02dB/m的衰减。

6.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，在450nm到1600nm的波长下呈现出0.4×10^-4到4×10^-4的双折射率。

7.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述应力构件具有2％＜B＜6％重量百分比，以及1.5％＜F＜3.5％重量百分比。

8.如权利要求3所述的光纤，其特征在于，所述应力杆具有直径为d的圆形截面，其中10μm＜d＜15μm。

9.如权利要求3所述的光纤，其特征在于，所述光纤是LMA光纤，且其中所述应力杆具有直径为d的圆形截面，其中25μm＜d＜250μm。

10.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述应力构件的CTE基本等于纯二氧化硅在-100℃到600℃的温度内的CTE。

11.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述应力构件具有1×10^-7与15×10^-7之间的CTE。

12.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述应力构件具有应力-光学系数C，且C＞10^-4/Mpa。

13.一种光纤，包括：

(i)纤芯，

(ii)包围所述纤芯的包层，以及

(iii)毗邻所述纤芯且位于所述包层内的至少一个应力构件，所述应力构件包括用B和F共同掺杂的二氧化硅，其中所述应力构件具有热应力系数σ_t和机械应力系数σ_m，且σ_t＜σ_m。

14.如权利要求13所述的光纤，其特征在于，10σ_t＜σ_m。

15.一种光纤，包括：

(i)纤芯，

(ii)包围所述纤芯的包层，

(iii)毗邻所述纤芯且位于所述包层内的至少一个应力构件，所述应力构件包括用B和F共同掺杂的二氧化硅，其中所述光纤在450nm到1600nm的范围的波长下呈现0.4×10^-4到4×10^-4的双折射率和/或在800nm到1600nm的工作波长范围内呈现单偏振模式。

16.如权利要求15所述的光纤，其特征在于，所述至少一个应力构件具有2％＜B＜6％重量百分比，以及1.5％＜F＜3.5％重量百分比。

17.如权利要求15所述的光纤，其特征在于，所述至少一个应力构件具有3×10^-7/℃与8×10^-7/℃之间的CTE。

18.如权利要求15所述的光纤，其特征在于，所述至少一个应力构件具有应力-光学系数C，且C＞10^-4/Mpa。

19.如权利要求15所述的光纤，其特征在于，所述中心纤芯是基于二氧化硅的；而且所述应力构件：(i)包括位于所述纤芯的相对两侧上的至少两个应力杆；或者(ii)包围所述纤芯。

20.如权利要求15所述的光纤，其特征在于，所述应力构件具有小于6％重量百分比的B。