[发明专利]通过光通量加热晶片的方法

权利要求书

1.一种用于在至少一个光通量脉冲的作用下至少局部加热晶片(1)的方法，其中晶片(1)包括至少一个待加热层(2)以及与所述待加热层至少局部相邻的子层(4)，所述方法包括以下步骤：

选择光通量(7)

其中波长使得只要所述待加热层的温度处于低温范围(PBT)内，则待加热层(2)对所述通量的吸收系数是低的，并且当待加热层的温度进入大约处于所述低温范围以上的高温范围(PHT)内时，所述吸收系数显著增加，

以及其中脉冲强度和脉冲持续时间使得当不存在所述子层时，待加热层的温度保持在所述低温范围内；

选择子层(4)

其中在所述低温范围(PBT)内，所选波长的所述光通量的吸收系数是高的

以及其中当所述子层受到光通量作用时，温度进入到高温范围(PHT)内；

以及经由所述待加热层(2)的与所述子层(4)相对的表面(3)对所述晶片(1)至少局部施加所述光通量(7)；

从而在第一阶段中，光通量(7)将子层(4)从其初始温度加热到至少处于所述高温范围(PHT)内的温度，在第二阶段中，子层(4)通过热扩散将待加热层(2)的相邻部分加热到处于所述高温范围(PHT)内的温度，以及在第三阶段中，该相邻部分因此成为吸收性的并在待加热层(2)中产生吸收热前缘(10)，所述吸收热前缘(10)中的温度处于所述高温范围(PHT)内，在热前缘(10)的向前热扩散以及经由待加热层(2)余下的还不是吸收性的部分到达所述热前缘的所述光通量(7)的热能供应的联合或双重作用下，所述吸收热前缘(10)朝所述前表面(3)推进。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，可以通过作为温度函数的吸收系数的表现过渡阈值来分隔所述低温范围(PBT)和所述高温范围(PHT)。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，作为温度函数的吸收系数的所述表现过渡阈值(STC)在一温度范围上延伸。

4.如上述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，待加热层(2)是低掺杂硅。

5.如上述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，待加热层(2)是半导体材料。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述低温范围(PBT)基本上对应于不是本征的掺杂的范围，所述高温范围(PHT)基本对应于本征的掺杂的范围。

7.如上述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，待加热层(2)是氮化镓。

8.如上述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，子层(4)是非晶硅。

9.如上述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，子层(4)是高掺杂硅。

10.如上述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，待加热层(2)是氮化镓，子层是硅。

11.如上述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，通过激光器产生光通量(7)。