[发明专利]具有镜层的薄膜发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜发光二极管，包括

-势垒层(3)，

-在势垒层(3)之后的第一镜层(2)，

-在第一镜层(2)之后的层堆叠(5)，该层堆叠具有至少一个有源 层(5a)，所述有源层发射电磁辐射，以及

-在层堆叠(5)之后的至少一个接触结构(6)，该接触结构设置在 辐射出射面(4)上并且具有接触面(7)，其中第一镜层(2)在与该接触 结构(6)的接触面(7)对置的区域中具有凹处，该凹处大于接触结构(6) 的接触面(7)。

2.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管，其中凹处的横向伸展比 接触结构(6)的接触面(7)的横向伸展大5μm至20μm。

3.根据上述权利要求之一所述的薄膜发光二极管，其中层堆叠(5) 的与辐射出射面(4)对置的界面在凹处的区域中改变为使得提高在层堆 叠(5)和第一镜层(1)的凹陷的区域之间的接触电阻。

4.根据权利要求3所述的薄膜发光二极管，其中层堆叠(5)的与辐 射出射面(4)对置的界面在凹处的区域中改变为使得层堆叠(5)的界面 在凹处的区域中不导电。

5.根据权利要求3所述的薄膜发光二极管，其中第一镜层(2)的凹 处具有第二镜层(8)。

6.根据权利要求1或2所述的薄膜发光二极管，其中接触结构(6) 的朝着层堆叠(5)的主面具有反射层(9)。

7.根据权利要求1或2所述的薄膜发光二极管，其中层堆叠(5)的 辐射出射面(4)被粗化。

8.根据权利要求1或2所述的薄膜发光二极管，其中层堆叠(5)的 其上设置有接触结构(6)的区域具有比层堆叠(5)的其上未设置接触结 构(6)的区域更小的层高度。

9.根据权利要求1或2所述的薄膜发光二极管，其中层堆叠(5)的 侧面的至少之一具有另外的反射层(12)。

10.根据权利要求1或2所述的薄膜发光二极管，其中在薄膜发光二 极管的辐射出射面(4)上施加有发光转换层(11)。

11.一种用于制造根据上述权利要求之一所述的薄膜发光二极管的 方法，具有以下方法步骤：

-提供生长衬底，

-外延地生长层堆叠(5)，该层堆叠适于产生电磁辐射，

-施加第一镜层(2)，该第一镜层在与接触结构(6)的设置区域对 置的区域中具有凹处，

-将势垒层(3)施加在第一镜层(2)上，

-从生长衬底剥离层堆叠(5)，

-将具有接触面(7)的接触结构(6)施加在层堆叠(5)的与第一 镜层(2)对置的侧上，其中接触结构(6)被施加在与第一镜层(2)的 凹处对置的区域中，并且接触结构(6)的接触面(7)小于第一镜层(2) 的凹处。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在施加势垒层(3)之前层堆 叠(5)的界面在第一镜层的凹处区域中通过等离子体工艺或者溅射工艺 受损伤。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在施加势垒层(3)之前将第 二层堆叠(8)引入第一镜层(2)的凹处中。

14.根据权利要求11至13之一所述的方法，其中在施加接触结构(6) 之前将层堆叠(5)的与第一镜层(2)对置的界面粗化。

15.根据权利要求11至13之一所述的方法，其中在将接触结构(6) 施加到层堆叠(5)上之前，将反射层(9)施加到层堆叠(5)的为接触 结构(6)设置的部分区域上。