[发明专利]先进多工件处理室

权利要求书

1.一种用于在加工工序中处理工件的装置，所述装置包括：

多晶片室，限定出室内部，该室内部包括在该室内部内的至少两个处理 站使得处理站共用该室内部，每个处理站包括等离子体源和工件基座，每个 处理站被构造用于使工件之一暴露给使用各自的等离子体源的加工工序，所 述多晶片室将所述室内部的加工压力与室外的环境压力隔绝开，所述多晶片 室包括一个或多个导电表面结构，所述一个或多个导电表面以在每个工件的 主表面上产生加工工序的给定水平的一致性的方式关于在每个处理站的工 件不对称地设置；和

屏蔽结构，位于所述室内部中，用于每个处理站，每个屏蔽结构可选择 性地运作在：(i)第一工件传送模式，用于传送每个工件到达和离开处理站 之一的工件基座，和(ii)第二加工模式，所述屏蔽结构的一部分移动以围 绕位于处理站之一的工件基座上的每个工件，使得该加工模式提供工件暴露 给各自的等离子体源的改善的一致性，该改善的一致性比不存在屏蔽结构时 提供的给定水平的一致性高。

2.如权利要求1所述的装置，其中为每个所述等离子体源向每个屏蔽 结构内引入一种或多种气态物质，其中处于所述加工模式的每个屏蔽结构用 于所述气态物质穿过屏蔽结构的交换，使得处理室内的每个工件所经历的加 工压力均衡。

3.如权利要求1所述的装置，其中关于工件不对称地设置的所述一个 或多个导电表面的结构对为了每个所述等离子体源而被引入每个屏蔽结构 内的任何气态物质产生了停留时间的给定一致性，处于所述加工模式的所述 屏蔽结构对引入每个屏蔽结构的气态物质提供了停留时间的改善的一致性， 该改善的一致性高于停留时间的给定一致性。

4.如权利要求1所述的装置，其中每个工件包括圆形外围轮廓，其中 用于每个处理站的处于加工模式的每个屏蔽结构至少在处理站的工件和该 处理站的等离子体源之间引入大致圆柱形的等离子体体积，同时保持从一个 处理站到下一个处理站的大致圆柱形的等离子体体积之间的压力均衡，无需 考虑关联于每个处理站而设置的不对称壁结构。

5.如权利要求1所述的装置，进一步包括：

用于在工件传送模式和加工模式之间致动每个处理站的屏蔽结构的致 动器结构。

6.如权利要求5所述的装置，其中所述致动器结构构造成一致地致动 每个处理站的屏蔽结构。

7.如权利要求1所述的装置，其中所述屏蔽结构包括在固定位置围绕 工件的第一环形屏蔽元件和被支撑为在第一位置和第二位置之间移动的第 二屏蔽元件，在所述第一位置，所述第二屏蔽元件与第一屏蔽元件配合以使 屏蔽结构运作在所述工件传送模式，而在所述第二位置，所述第二屏蔽元件 与第一屏蔽元件配合以使屏蔽结构运作在加工模式。

8.如权利要求7所述的装置，其中所述第一环形屏蔽元件限定出槽， 用于在所述工件传送模式中穿过该槽移动工件到达和离开工件基座。

9.如权利要求8所述的装置，其中所述第一环形屏蔽元件包括圆柱形 外围轮廓，所述第二屏蔽元件包括面对第一环形屏蔽元件的圆柱形外围轮廓 的屏蔽表面，使得在所述第二位置，对于在第二屏蔽元件的屏蔽表面上的任 何给定位置，到第一环形屏蔽元件的圆柱形轮廓的投影距离基本上为恒量， 该投影距离相对于圆柱形轮廓沿表面的法线方向延伸。

10.如权利要求9所述的装置，其中所述第二屏蔽元件包括屏蔽元件外 围轮廓，使得在第二屏蔽元件位于所述第二位置上时，屏蔽元件外围轮廓在 所述表面的法线方向上的投影落在第一环形屏蔽元件的圆柱形外围轮廓上 并围绕所述槽，从而第二屏蔽元件起到活门的作用。

11.如权利要求10所述的装置，其中所述第一环形屏蔽元件包括对称 轴和限定出与首述的槽对称地相对的附加槽，所述装置进一步包括与所述附 加槽成面对关系的附加屏蔽元件以至少模拟首述的槽和第二屏蔽元件之间 的关系，使得附加槽和附加屏蔽元件配合以至少在延伸于所述首述的槽和附 加槽之间的方向上提供在所述工件上的所述加工工序的改善的一致性。