[发明专利]用于制造掺杂的氧化锌的方法

权利要求书

1.一种制造n型锌氧化物基薄膜半导体的方法，该方法将薄膜材料沉积在基材的表面区域，该表面区域是整个表面区域或者所选择的部分，其中沉积是通过基本上在大气压或大气压以上的压力下进行的原子层沉积方法，其中在沉积期间该基材的温度是在300℃以下，和其中原子层沉积方法包括：同时沿着基本上并行的细长通道引导一系列气流通过与基材间隔开的多个输出口，该气流依次包括在沉积期间包括具有摩尔流的含锌化合物的至少第一反应性气态材料、惰性吹扫气体、和第二反应性气态材料，和在相对于多个输出口的方向上输送基材，使得在基材表面区域上的任意点经过顺序的第一、第二和第三气态材料，由此该顺序导致薄膜通过在基材的表面区域上原子层沉积而形成，

其中挥发性的含铟的化合物被引入到第一反应性气态材料或者补充的气态材料，使得含铟的化合物具有大于20％的含锌化合物的摩尔流水平的摩尔流。

2.权利要求1所述的方法，其中该锌氧化物基薄膜半导体被用于薄膜晶体管中。

3.权利要求1所述的方法，其中，通过X射线衍射测定，锌氧化物基薄膜半导体的结晶度小于85％。

4.权利要求1所述的方法，其中挥发性的含铟化合物是三烷基铟化合物，或环戊二烯基铟(I)，其中该烷基具有1到4个碳原子。

5.权利要求1所述的方法，其中锌氧化物基的薄膜半导体的电阻率相对于不合有铟的类似膜的电阻率减少。

6.权利要求5所述的方法，其中得自含铟化合物的引入的铟掺杂剂作为前体的存在提供了在薄膜材料中电阻率的至少10的倍数的下降。

7.权利要求1所述的方法，其中在锌氧化物基薄膜半导体中锌与铟的重量比是0.05到0.7。

8.权利要求1所述的方法，其中挥发性受主掺杂剂前体被引入第二反应性气态材料、惰性的吹扫气体，或补充的气态材料的附加气流。

9.权利要求8所述的方法，其中挥发性受主掺杂剂前体包含选自N，P，As，Li，Na，K的元素或其混合。

10.权利要求8所述的方法，其中挥发性受主掺杂剂前体是NO、NO₂或氨气。

11.权利要求1所述的方法，其中锌氧化物基薄膜半导体用作薄膜晶体管的通道层。

12.权利要求1所述的方法，其中锌氧化物基薄膜半导体用作薄膜晶体管的一种或一种以上的导电电极。

13.权利要求1所述的方法，其中锌氧化物基薄膜半导体用作电子电路中的电气导管。

14.权利要求1所述的方法，其中系列的气流通过沉积设备提供，该沉积设备包括，在俯视图中面向基材的一系列细长的输出口，该输出口基本上平行地与基材紧密接近地位于基材之上，在沉积设备的输出面中，与进行沉积的基材的表面间隔在1mm之内。

15.权利要求14的方法，其中在用于第一反应性气态材料和第二反应性气态材料的系列的细长输出口之间没有排气通道。

16.权利要求14所述的方法，其中该沉积设备进一步包括在用于第一反应性气态材料和第二反应性气态材料的基本上平行的细长输出口之间的排气通道。

17.权利要求14所述的方法，其中用于薄膜沉积的到基材表面的一种或一种以上的气态材料流提供了将沉积设备的沉积输出面与该基材的表面分离开的至少一部分的力。

18.权利要求14所述的方法，其中用于薄膜半导体原子层沉积的基材的表面区域超出了该沉积设备的输出面总表面区域。

19.权利要求1所述的方法，其中基材或基材的载体包括移动卷材。

20.权利要求1所述的方法，其中该方法是呈对环境大气非密封的关系。