[发明专利]导电组合物以及用于半导体装置制造中的方法

权利要求书

1.厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物包含：

a)导电银；

b)一种或多种玻璃料组合物，其中所述玻璃料组合物中的至少一种包含按所述总玻璃料的重量百分比计4-26重量％的SiO₂、6-52重量％的Bi₂O₃以及5-29重量％的PbF₂；分散于

c)有机载体。

2.权利要求1的厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物还包含一种或多种含锌添加剂。

3.权利要求1的厚膜导电组合物，其中所述玻璃料组合物中的至少一种包含按所述总玻璃料组合物的重量百分比计18-26重量％的SiO₂。

4.权利要求1的厚膜导电组合物，其中所述玻璃料组合物中的至少一种还包含20-52重量％的PbO、0-1重量％的Al₂O₃、2-7重量％的TiO₂、以及0-8重量％的B₂O₃。

5.权利要求1的厚膜导电组合物，其中所述玻璃料组合物中的至少一种，其中所述组合物包含0-1重量％的BaO。

6.权利要求1的厚膜导电组合物，其中所述玻璃料组合物中的至少一种，其中所述组合物不包含BaO。

7.权利要求2的厚膜导电组合物，其中所述含锌添加剂包含ZnO。

8.权利要求2的厚膜导电组合物，其中所述组合物包含按所述总组合物的重量计2-8重量％的含锌添加剂、以及1-3重量％的玻璃料。

9.由厚膜导电组合物形成的电极，所述电极包括：

a)导电银；

b)一种或多种玻璃料组合物，其中所述玻璃料中的至少一种包含氟；分散于

c)有机载体；

其中所述组合物已被加工以移除所述有机载体并烧结所述玻璃料和银粉。

10.权利要求9的电极，其中所述厚膜导电组合物还包括含锌添加剂。

11.权利要求9的电极，其中所述玻璃料组合物中的至少一种包含SiO₂。

12.权利要求9的电极，其中所述玻璃料组合物中的至少一种包含按所述总玻璃组合物的重量百分比计5-36重量％的SiO₂、6-52重量％的Bi₂O₃以及5-29重量％的PbF₂。

13.结构，所述结构包括：

(a)组合物，所述组合物包含：

a)导电银；

b)一种或多种玻璃料组合物，其中所述玻璃料中的至少一种包含氟；分散于

c)有机载体；

(b)绝缘膜；以及

(c)半导体基板。

14.权利要求13的结构，其中所述组合物还包括含锌添加剂。

15.半导体装置，所述半导体装置包括：

(a)电极，其中所述电极包含银和氟；

(b)绝缘膜；以及

(c)半导体基板。

16.权利要求15的半导体装置，其中所述电极还包括含锌添加剂。

17.权利要求15的半导体装置，其中所述装置为太阳能电池。

18.制造半导体装置的方法，所述方法包括：

(a)提供承载结点的半导体基板；

(b)将绝缘膜施加到所述半导体基板上；

(c)将厚膜组合物施加到所述绝缘膜上，其中所述厚膜组合物包含：

a)导电银；

b)一种或多种玻璃料组合物，其中所述玻璃料中的至少一种包含氟；分散于

c)有机载体；以及

(d)焙烧所述装置。