[发明专利]化合物半导体外延晶片及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体外延晶片，其特征在于，

在具有以<100>方向作为基准方向、倾斜角为10°到20°之间的主轴 的GaAs单结晶基板上，依次层叠由含有两种以上的III族元素的 (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP构成的发光层部和厚度为50μm到250μm之间的GaP层， 上述(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP中0≤x≤1，0＜y＜1，

上述GaP层的表面是未研磨面，而且在上述未研磨面上形成的小丘 的高度在10μm以下。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体外延晶片，其特征在于，上述 小丘的高度在1μm以下。

3.一种化合物半导体外延晶片，其特征在于，具有：

向具有以<100>方向作为基准方向、倾斜角为10°到20°之间的主轴 的GaAs单结晶基板上外延生长形成的，由含有两种以上的III族元素的 (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP构成的发光层部，其中0≤x≤1，0＜y＜1；

面向在上述GaAs单结晶基板上生长的上述发光层部的该GaAs单结 晶基板时，将位于相反侧的主平面作为主表面，面向该GaAs单结晶基板 一侧的主平面作为主反面，且在上述发光层部的主表面上外延生长的、 厚度为50μm到250μm之间的主表面侧GaP层；

通过去除上述GaAs单结晶基板而显现出的上述发光层部的上述主 反面上外延生长的、厚度为50μm到250μm之间的主反面侧GaP层，

并且上述主表面侧GaP层和上述主反面侧GaP层的表面均为未研磨 面，在该未研磨面上形成的小丘高度在10μm以下。

4.根据权利要求3所述的化合物半导体外延晶片，其特征在于，上 述小丘的高度在1μm以下。

5.一种化合物半导体外延晶片的制造方法，其特征在于，包括以下步 骤：

在具有以<100>方向作为基准方向、倾斜角为10°到20°之间的主轴 的GaAs单结晶基板上，依次形成由包含两种以上III族元素的 (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP构成的发光层部和第一GaP层的金属有机化合物气相外 延步骤，上述(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP中0≤x≤1，0＜y＜1；和在上述第一GaP层 上形成第二GaP层的氢化物气相外延步骤；

上述第二GaP层的生长速度设定为，生长开始时的预定期间为第一 生长速度，经过该期间后设为比上述第一生长速度高的第二生长速度， 且在整个生长过程中，第二生长速度在10μm/hr到40μm/hr之间。

6.根据权利要求5所述的化合物半导体外延晶片的制造方法，其特征 在于，上述第一生长速度在10μm/hr以下。

7.根据权利要求5所述的化合物半导体外延晶片的制造方法，其特 征在于，上述第一生长速度在5μm/hr以下。

8.根据权利要求5所述的化合物半导体外延晶片的制造方法，其特 征在于，上述第一GaP层和上述第二GaP层的总厚度为50μm到250μm 之间。

9.根据权利要求5～8中任一项所述的化合物半导体外延晶片的制 造方法，其特征在于，上述第二GaP层在650℃到800℃之间的温度条件 下生长。