[发明专利]具有宽带反射特性的干涉式光学调制器

权利要求书

1.一种光学装置，其包括：

静态光学堆叠，其包括：

第一层，其具有第一折射率，

在所述第一层上的第二层，所述第二层具有小于所述第一折射率的第二折射 率，所述第二层具有在约900埃与约1600埃之间的范围中的厚度，以及

在所述第二层上的第三层，所述第三层具有大于所述第二折射率的第三折射 率；以及

可移动第四层，其为至少部分光学吸收性的，

其中所述静态光学堆叠与所述可移动第四层在所述装置处于第一状态下时彼此 相距第一距离，所述光学装置在所述第一状态时呈现大体上白色，且在所述装置处 于第二状态下时彼此相距第二距离，所述第一距离不同于所述第二距离。

2.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述第一层及所述第三层中的至少一者包括 两个或两个以上子层。

3.根据权利要求2所述的光学装置，其中所述子层中的一者具有比所述第二折射率大 的第四折射率。

4.根据权利要求2所述的光学装置，其中所述子层中的一者为导电的。

5.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述静态光学堆叠与所述可移动第四层之间 的区域具有比所述第三折射率小的第五折射率。

6.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述第一层及所述第三层中的至少一者为导 电的。

7.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述第一折射率及所述第三折射率均大于 1.7。

8.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述第二折射率小于1.5。

9.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述第一层或第三层包括氧化铟锡、氮化硅、 氧化钛、氧化锆、氧化钇、氧化锑或硒化锌。

10.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述第二层包括冰晶石、氟化镁或氟化的 SiO_x。

11.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述第四层包括钼、镍、硅、TiN_xW_y、氮 化钛、锗、碳、铁、铬、钨、Si_xGe_1-x或氮化锡。

12.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述第三层具有在约100埃与约550埃之间 的范围中的厚度。

13.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述可移动第四层具有在约30埃与约3000 埃之间的范围中的厚度。

14.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述第一距离处于约与约之 间或约与之间的范围中。

15.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述第二距离大致为零。

16.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述光学装置在所述第一状态下具有第一反 射率，且所述光学装置在所述第二状态下具有第二反射率，所述第一反射率与所述 第二反射率的比率大于十。

17.根据权利要求16所述的光学装置，其中所述第一反射率与所述第二反射率的所述 比率大于一百。

18.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述光学装置在所述第一状态下具有大体上 对应于标准白色点D65的可见光的反射光谱功率分布。

19.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述可移动第四层安装于机械支撑层上。

20.根据权利要求19所述的光学装置，其中所述机械支撑层包括镍。

21.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述静态光学堆叠安装于至少部分光学透射 衬底上。

22.根据权利要求21所述的光学装置，其中所述至少部分光学透射衬底包括玻璃。