[发明专利]采用基于单环戊二烯基钛的前体通过原子层沉积制备含钛薄膜的方法

权利要求书

1.通过原子层沉积形成含钛的膜的方法，该方法包含将至少一种前体送递到基材，其中所述至少一种前体在结构上对应于式I：

(式I)

其中：

R是C₁-C₆-烷基；

n是零、1、2、3、4或5；

L是C₁-C₆-烷氧基或氨基，其中所述氨基任选地、独立地被C₁-C₆-烷基取代1或2次。

2.权利要求1的方法，其中

R是甲基、乙基或丙基；

n是零、1或2；和

L选自由甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、二甲基氨基、乙基甲基氨基和二乙基氨基组成的组。

3.权利要求1的方法，其中

R是甲基或乙基；

n是1或2；和

L选自由甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、二甲基氨基、乙基甲基氨基和二乙基氨基组成的组。

4.权利要求1的方法，其中

R是甲基或乙基；

n是1或2；和

L选自由甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基组成的组。

5.权利要求1的方法，其中

R是甲基或乙基；

n是1；和

L选自由甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基组成的组。

6.权利要求1的方法，其中

R是甲基或乙基；

n是1或2；和

L选自由二甲基氨基、乙基甲基氨基和二乙基氨基组成的组。

7.权利要求1的方法，其中所述式(I)的化合物选自由下列组成的组：

(甲基环戊二烯基)Ti(NMe₂)₃；

(乙基环戊二烯基)Ti(NMe₂)₃；

(丙基环戊二烯基)Ti(NMe₂)₃；

(甲基环戊二烯基)Ti(NEt₂)₃；

(乙基环戊二烯基)Ti(NEt₂)₃；

(丙基环戊二烯基)TiNEt₂)₃；

(甲基环戊二烯基)Ti(NMeEt)₃；

(乙基环戊二烯基)Ti(NMeEt)₃；

(丙基环戊二烯基)TiNMeEt)₃；

(甲基环戊二烯基)Ti(OMe)₃；

(乙基环戊二烯基)Ti(OMe)₃；

(丙基环戊二烯基)Ti(OMe)₃；

(甲基环戊二烯基)Ti(OEt)₃；

(乙基环戊二烯基)Ti(OEt)₃；

(丙基环戊二烯基)Ti(OEt)₃；

(甲基环戊二烯基)Ti(OiPr)₃；

(乙基环戊二烯基)Ti(OiPr)₃；

(丙基环戊二烯基)Ti(OiPr)₃；

(甲基环戊二烯基)Ti(OtBu)₃；

(乙基环戊二烯基)Ti(OtBu)₃；和

(丙基环戊二烯基)Ti(OtBu)₃。

8.权利要求1的方法，其中所述式(I)的化合物选自由下列组成的组：

(甲基环戊二烯基)Ti(NMe₂)₃；

(甲基环戊二烯基)Ti(OMe)₃；

(甲基环戊二烯基)Ti(OiPr)₃；和

(甲基环戊二烯基)Ti(OtBu)₃。

9.权利要求1的方法，其中所述原子层沉积包含光辅助的原子层沉积。

10.权利要求1的方法，其中所述原子层沉积包含液体注射原子层沉积。