[发明专利]包括高密度无凸点内建层和密度较低的内核或无内核基板的集成电路封装有效
申请号: | 200880106620.6 | 申请日: | 2008-09-17 |
公开(公告)号: | CN101802991A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | O·斯基特;R·马哈詹;J·古泽克 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 邬少俊;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 高密度 无凸点内建层 密度 内核 集成电路 封装 | ||
1.一种装置,包括:
多个第一元件,每一个第一元件包括:
具有有源表面和至少一个侧面的微电子管芯,
与所述至少一个微电子管芯侧面相邻的封装材料,其中所述封装材 料包括至少一个与所述微电子管芯有源表面平齐的表面,
设置在所述微电子管芯有源表面和所述封装材料表面的至少一部 分上的第一电介质材料层,
设置在所述第一电介质材料层上的多个内建层,以及
设置在所述第一电介质材料层和所述内建层上并与所述微电子管 芯有源表面电接触的多个导电迹线;以及
耦合到所述多个第一元件的第二元件,所述第二元件包括具有多个电 介质材料层的基板和用于将顶表面上的导电接触与底表面上的导电接触导 电耦合的导电迹线,所述顶表面上的所述导电接触与所述多个第一元件的 所述导电迹线导电耦合。
2.根据权利要求1所述的装置,还包括包含具有开口的微电子封装内 核的所述多个第一元件,所述微电子管芯设置在所述开口中。
3.根据权利要求1所述的装置,还包括包含基板内核的所述第二元件。
4.根据权利要求1所述的装置,还包括包含嵌入在所述顶表面和所述 底表面之间的至少一个存储部件的所述第二元件。
5.根据权利要求1所述的装置,还包括包含嵌入在所述顶表面和所述 底表面之间的至少一个分立电子部件的所述第二元件。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二元件的所述底表面上的 所述导电接触包括焊盘栅格阵列。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二元件的所述底表面上的 所述导电接触包括球栅阵列。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二元件的所述顶表面上的 所述导电接触包括凸点。
9.根据权利要求1所述的装置,还包括所述多个第一元件和所述第二 元件之间的环氧树脂底填料。
10.一种电子设备,包括:
网络控制器;
系统存储器;以及
处理器,其中所述处理器包括:
多个第一元件,每一个第一元件包括:
具有有源表面和至少一个侧面的微电子管芯,
与所述至少一个微电子管芯侧面相邻的封装材料,其中所述封 装材料包括至少一个与所述微电子管芯有源表面平齐的表面,
设置在所述微电子管芯有源表面和所述封装材料表面的至少 一部分上的第一电介质材料层,
设置在所述第一电介质材料层上的多个内建层,以及
设置在所述第一电介质材料层和所述内建层上并与所述微电 子管芯有源表面电接触的多个导电迹线;以及
耦合到所述多个第一元件的第二元件,所述第二元件包括具有多个 电介质材料层的基板和用于将顶表面上的导电接触与底表面上的导电 接触导电耦合的导电迹线,所述顶表面上的所述导电接触与所述多个 第一元件的所述导电迹线导电耦合。
11.根据权利要求10所述的电子设备,还包括包含嵌入在所述顶表面 和所述底表面之间的至少一个存储部件的所述第二元件。
12.根据权利要求10所述的电子设备,还包括包含嵌入在所述顶表面 和所述底表面之间的至少一个分立电子部件的所述第二元件。
13.根据权利要求10所述的电子设备,还包括包含具有开口的微电子 封装内核的所述多个第一元件,所述微电子管芯设置在所述开口中。
14.根据权利要求10所述的电子设备,还包括包含基板内核的所述第 二元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造