[发明专利]大气压等离子体

权利要求书

1.一种涂布表面的方法，其中将雾化的表面处理剂掺入到在稀有 工艺气体内生成的非平衡大气压等离子体或由其得到的激发和/或电 离的气体物流内，和布置待处理的表面，以接收已掺入其内的雾化的 表面处理剂，其特征在于：通过在工艺气体内掺入0.2-10体积％的氮 气，降低在表面上形成的涂层中的颗粒含量。

2.权利要求1的涂布表面的方法，包括等离子体涂布表面，其中 将雾化的表面处理剂掺入到在稀有工艺气体内生成的非平衡大气压等 离子体内，和将待处理的表面与含雾化的表面处理剂的大气压等离子 体接触地放置，其特征在于：通过在工艺气体内掺入0.2-10体积％的 氮气，降低在表面上形成的涂层中的颗粒含量。

3.权利要求1或2的方法，其中在含稀有气体和雾化的表面处理 剂的工艺气体内生成非平衡大气压等离子体。

4.权利要求1或2的方法，其中将雾化的表面处理剂引入到在稀 有工艺气体内生成的非平衡大气压等离子体内。

5.权利要求1的方法，其特征在于雾化的表面处理剂包括可聚合 材料，和在表面上形成的涂层包括雾化的表面处理剂的聚合物。

6.权利要求5的方法，其特征在于可聚合材料是有机基硅化合物 和涂层包括聚有机基硅氧烷。

7.权利要求1的方法，其特征在于通过施加射频高压到位于具有 入口和出口的电介质外壳内的至少一个电极上，同时引起所述工艺气 体从入口流经电极到达出口，在该外壳内生成非平衡大气压等离子体， 等离子体从电极延伸到外壳出口，和待处理的表面与出口相邻地布置， 以便表面与等离子体接触并相对于等离子体出口移动。

8.权利要求7的方法，其特征在于由至少部分电介质材料形成的管 从外壳出口向外延伸，于是管末端形成等离子体出口和等离子体从电极 延伸到所述等离子体出口，且待处理的表面与所述等离子体出口相邻地 布置，以便表面与等离子体接触并相对于所述等离子体出口移动。

9.权利要求1的方法，其中通过施加射频高压到与工艺气体接触 的至少一个电极上，在工艺气体内生成非平衡大气压等离子体，其特 征在于工艺气体包括稀有气体和氮气，其比例为稀有气体90体积份∶ 氮气10份一直到稀有气体99.8体积份∶氮气0.2份。

10.权利要求9的方法，其特征在于施加射频高压到位于具有入 口和出口的电介质外壳内的至少一个电极上，同时引起所述工艺气体 从入口经电极流动到出口。

11.权利要求10的方法，其特征在于所施加的射频电压范围为 10kV-25kV，和工艺气体包括氦气和氮气，其比例为稀有气体95体积 份∶氮气5份一直到稀有气体99.5体积份∶氮气0.5份。

12.权利要求10的方法，其特征在于所施加的射频电压范围为 25kV-40kV，和工艺气体包括氦气和氮气，其比例为稀有气体90体积 份∶氮气10份一直到稀有气体99体积份∶氮气1份。

13.权利要求9、10或11的方法，其特征在于将雾化的表面处理 剂掺入到工艺气体内，于是用由表面处理剂衍生的涂层，等离子体处 理涂布表面。

14.一种涂布表面的方法，其中通过施加射频高压到与稀有气体 氛围接触的至少一个电极上，在稀有工艺气体内生成非平衡大气压等 离子体，并将雾化的表面剂掺入到该等离子体内，其改进在于稀有气 体含有0.2-10体积％的氮气，氮气的含量足以降低在表面上形成的涂 层中的颗粒含量。

15.在涂布表面的方法中的工艺气体内0.2-10体积％的氮气用于 降低在表面上形成的涂层中颗粒的含量的用途，其中将雾化的表面处 理剂掺入到在稀有工艺气体内生成的非平衡大气压等离子体或由其得 到的激发和/或电离的气体物流内，和布置待处理的表面，以接收已掺 入其内的雾化的表面处理剂。

16.权利要求15的用途，其特征在于将雾化的表面处理剂掺入到 在稀有工艺气体内生成的非平衡大气压等离子体内，和待处理的表面 与含雾化的表面处理剂的大气压等离子体接触地放置。