[发明专利]用于微电子基材湿蚀刻加工的旋压保护涂层

权利要求书

1.一种用作保护层的组合物，该组合物包含溶解或分散于溶剂体系中的第一 聚合物和相容化合物；

该第一聚合物包含：

其中：

每个R¹各自独立的选自氢和C₁-C₈烷基；以及

每个R²各自独立的选自氢、C₁-C₈烷基和C₁-C₈烷氧基；

该相容化合物选自：

包含环氧基团的单体和聚合物；

聚（苯乙烯-共-烯丙醇）；以及

其混合物；

按组合物的总重量为100重量％计，该组合物包括小于0.1重量％的光酸产 生剂并且是非交联性的。

2.权利要求1所述的组合物，其中该相容化合物选自环氧苯酚酚醛清漆树脂、 环氧双酚A/F型树脂、环氧甲酚酚醛清漆树脂、环氧双酚A型树脂和环氧双酚A 型酚醛清漆树脂。

3.权利要求1所述的组合物，其中该相容化合物包含15-30重量%的环氧基 团，基于该相容化合物的总重量为100重量%计。

4.如权利要求1所述的组合物，其中所述聚合物是含有环氧基团的寡聚物。

5.一种形成微电子装置的方法，该方法包括使微电子结构接触选自碱性蚀刻 剂和酸性蚀刻剂的蚀刻剂，该微电子结构包含：

具有表面的微电子基材；

邻接上述基材表面的底涂层；以及

邻接上述底涂层的第一保护层，该第一保护层是由包含溶解或分散于溶剂体 系中的第一聚合物和相容化合物的组合物构成的，

该第一聚合物包含：

其中：

每个R¹各自独立的选自氢和C₁-C₈烷基；

每个R²各自独立的选自氢、C₁-C₈烷基和C₁-C₈烷氧基；

该相容化合物选自：

包含环氧基团的单体和聚合物；

聚（苯乙烯-共-烯丙醇）；以及

其混合物；

以组合物的总重量为100重量％计，该组合物含有小于0.1重量％的光酸产 生剂并且是非交联性的。

6.权利要求5所述的方法，其中该接触包括将该微电子结构浸没在该蚀刻剂 中。

7.权利要求5所述的方法，其中该结构进一步包含邻接于该第一保护层的第 二保护层。

8.权利要求7所述的方法，其中该接触包括使该结构接触碱性蚀刻剂及酸性 蚀刻剂中的一种，以及进一步包含使该结构接触碱性蚀刻剂和酸性蚀刻剂中的另 一种。

9.权利要求5所述的方法，其中该第一保护层的平均厚度为1-5μm。

10.权利要求5所述的方法，其中该微电子基材选自玻璃基材、石英基材、 陶瓷基材、半导体基材以及金属基材。

11.权利要求5所述的方法，其中该底涂层包含选自芳香族有机硅烷、氨基 硅烷及其混合物的硅烷。

12.权利要求5所述的方法，其中在83-87℃下，接触30-35重量%的KOH 水溶液2小时后，该底涂层和该保护层呈现小于3mm的起皱程度。

13.权利要求5所述的方法，其中该底涂层和该第一保护层互相反应形成键 合，该键合包含：

14.如权利要求5所述的方法，其中所述聚合物是含有环氧基团的寡聚物。