[发明专利]高度导电且稳定的透明导电聚合物膜无效
申请号: | 200880106171.5 | 申请日: | 2008-07-08 |
公开(公告)号: | CN101815740A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 陈立春;多纳尔·多纳特·康纳·布拉德利 | 申请(专利权)人: | 帝国创新有限公司 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;H01B1/12 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 颜涛;郑霞 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高度 导电 稳定 透明 聚合物 | ||
1.一种通过汽相聚合(VPP)生产聚合物膜的方法,所述方法包括以 下步骤:
(1)提供包含氧化剂、胺或酰胺阻聚剂和添加剂的溶液,其中所述 添加剂是水溶性聚合物;
(2)将所述溶液应用于基片表面以便在所述基片的表面上形成氧化 剂、阻聚剂和添加剂混合物层;
(3)将含有所述氧化剂、阻聚剂和添加剂的层暴露于蒸发的杂芳族 单体并允许聚合以在所述基片的表面上继续形成聚合物膜。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述包含氧化剂、胺或酰胺阻聚 剂和添加剂的溶液是水溶液。
3.根据权利要求1或2所述的方法,所述方法还包括在步骤(2)之 后从氧化剂、阻聚剂和添加剂混合物层除去溶剂的步骤(2a)。
4.根据权利要求3所述的方法,其中通过加热除去所述溶剂。
5.根据权利要求4所述的方法,其中通过在干燥气氛中或在真空下、 在80℃-120℃下加热1min-5min除去所述溶剂。
6.根据权利要求1或2所述的方法,其中聚合步骤(3)在从40℃至 3℃范围内的温度下进行。
7.根据权利要求1或2所述的方法,其中聚合在干燥室中进行。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述干燥室通过加热和/或用氮 气、氩气或干空气吹洗而干燥。
9.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述方法还包括步骤(4), 所述步骤(4)为用水或含水溶剂洗涤带有如步骤(3)中制成的聚合物膜 的基片。
10.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述方法还包括将高分子 酸的层沉积到所述聚合物膜的步骤(5)。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述高分子酸是水溶性的高分 子酸。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述高分子酸是聚(4-苯乙烯磺 酸)(PSSA)、聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基-1-丙磺酸)(PAAMPSA)或与聚(4- 苯乙烯磺酸盐)掺杂的聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT-PSS)。
13.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述添加剂为选自聚氧化 乙烯(PEO)、聚乙烯醇(PVA)、聚丙烯酰胺、羧甲基纤维素和羟乙基纤 维素的聚合物。
14.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述添加剂为包含聚氧化 乙烯(PEO)、聚乙烯醇(PVA)、聚丙烯酰胺、羧甲基纤维素和羟乙基纤 维素中的一个或两个的聚合物的混合物。
15.根据权利要求13所述的方法,其中所述添加剂是聚氧化乙烯 (PEO)或聚乙烯醇(PVA)。
16.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述聚合物膜包含任意式 I至式V的单体的聚合物:
其中X和Y可以独立地是-O-或-CH2-,条件是X和Y中至少一个是-O-; R是任选地取代的C1-4烷基;并且Z是氢或-NH2。
17.根据权利要求16所述的方法,其中X和Y均为-O-。
18.根据权利要求16所述的方法,其中Z是氢。
19.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述单体是亚乙基二氧噻 吩(EDOT)并且所述聚合物是聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)。
20.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述氧化剂是铁(III)盐。
21.根据权利要求20所述的方法,其中所述氧化剂是磺酸Fe(III)、氯 化Fe(III)或磷酸Fe(III)。
22.根据权利要求20所述的方法,其中所述氧化剂是对甲苯磺酸庚二 酸铁。
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