[发明专利]半导体激光元件的制造方法有效
申请号: | 200880106090.5 | 申请日: | 2008-09-02 |
公开(公告)号: | CN101796698A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 熊谷正芳;福满宪志;久野耕司 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01S5/02 | 分类号: | H01S5/02;B23K26/38;B23K26/40;H01L21/301;B23K101/40 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 激光 元件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及条纹结构的半导体激光元件的制造方法。
背景技术
在现有技术中,一般而言,例如如非专利文献1中所记载的那样制造条纹结构的半导体激光元件。
即首先,准备以矩阵状二维排列有多个将成为半导体激光元件的半导体激光部的加工对象物。然后,对该加工对象物,沿着半导体激光部之间的在与条纹方向垂直的方向上延伸的切断预定线的端部,通过钻石切刀等的划线器(SCRIBER)而划入划线(1次划线(scribe))。接着,以该划线作为起点,而沿着切断预定线将加工对象物劈开,从而得到多个一维排列有多个半导体激光部的条(bar)。
其后,在条中的与条纹方向垂直的劈开面,涂布成为保护膜以及反射控制膜的介电体膜。然后,对该条,沿着半导体激光部之间的在条纹方向上延伸的切断预定线,通过钻石切刀等的划线器而划入划线(2次划线)。接着,以该划线作为起点,而沿着切断预定线将条劈开,从而得到多个半导体激光元件。
另外,以由1次划线得到的划线作为起点而将加工对象物劈开,从而得到多个条,之后,对多个条的各个进行2次划线,这是因为下述的理由。即这是因为:若对加工对象物预先进行1次划线以及2次划线,则在以由1次划线得到的划线作为起点而将加工对象物劈开之时,会受到由2次划线得到的划线的影响,而有可能无法得到具备高精度的劈开面的条。
非专利文献1:平田照二著,“理解 半导体激光的基础与应用”,第3版,CQ出版株式会社,2004年8月1日,p121~124
发明内容
发明所要解决的问题
如上所述,在现有技术的一般的半导体激光元件的制造方法中,由于必须要对通过将加工对象物劈开而得到的多个条的各个进行2次划线,因此,操作极为繁杂,并且存在生产性低的问题。
因此,本发明有鉴于上述问题,其目的在于,提供一种生产性高的半导体激光元件的制造方法。
解决问题的方法
为了达成上述目的,本发明所涉及的半导体激光元件的制造方法的特征为,是条纹(stripe)结构的半导体激光元件的制造方法,具备:对于二维排列有多个将成为半导体激光元件的半导体激光部的加工对象物,沿着半导体激光部之间的在与条纹方向垂直的方向上延伸的第1切断预定线的至少一部分,形成第1切断起点区域,并且,对于加工对象物,通过使聚光点对准其内部并照射激光,从而沿着半导体激光部之间的在条纹方向上延伸的第2切断预定线,形成具有改质区域的第2切断起点区域的工序;以第1切断起点区域作为起点,沿着第1切断预定线切断加工对象物,从而得到多个一维排列有多个半导体激光部的条(bar)的工序;以及通过以第2切断起点区域作为起点,沿着第2切断预定线切断条,从而得到多个半导体激光元件的工序。
在该半导体激光元件的制造方法中,对于加工对象物,预先进行沿着第1切断预定线的至少一部分的第1切断起点的形成以及沿着第2切断预定线的第2切断起点区域的形成这两者。在此,第2切断起点区域是具有通过使聚光点对准加工对象物的内部并照射激光而形成的改质区域的区域。由此,在以第1切断起点区域作为起点而切断加工对象物之时,相比于例如划线等,第2切断起点区域的影响力更加小,因而能够得到具有高精度的劈开面的条。因而,对于多个条的各个,无需进行沿着第2切断预定线的第2切断起点区域的形成,而可以提高半导体激光元件的生产性。另外,沿着第1切断预定线的至少一部分的第1切断起点的形成以及沿着第2切断预定线的第2切断起点区域的形成,其顺序是不同的。
在本发明所涉及的半导体激光元件的制造方法中,优选:在形成第1以及第2切断起点区域的工序中,沿着第2切断预定线,形成第2 切断起点区域,使得以第2切断起点区域作为起点而沿着第2切断预定线切断加工对象物所需要的第2切断力,大于以第1切断起点区域作为起点而沿着第1切断预定线切断加工对象物所需要的第1切断力。通过如此这般地形成第2切断起点区域,从而在以第1切断起点区域作为起点而切断加工对象物之时,能够可靠地防止以第2切断起点区域作为起点而切断加工对象物那样的情况。
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