[发明专利]表征电子元件对能量相互作用的敏感性的方法

权利要求书

1.一种表征对微粒与半导体电子元件(1)中的材料的相互作用 的敏感性的方法，其中，

将半导体电子元件投入使用，

通过激光辐射(14)激发投入使用的半导体电子元件，

测量与这个激发的值相对应的投入使用的半导体电子元件的运 行故障，

其特征在于

改变半导体电子元件的使用条件，即半导体电子元件的电接触区 的偏置、和/或输入信号、和/或控制信号、和/或频率、和/或温度、和 /或输出负荷，

作为特性，测量改变的使用条件，对于这些改变的使用条件，半 导体电子元件出现或不出现由于触发现象的运行故障，即通过相互作 用产生寄生电流，以及

所研究的触发现象为SEB现象或SEL现象或微锁定现象或SES 现象或任何其它涉及与电流放大和/或保持机制相结合的寄生双极结 构的触发的现象，所述寄生双极结构产生寄生电流，其中

实现三维的敏感性绘图，并且其中

对于所关注的位置，激光束的聚焦被调整到最小能量值，以标识 半导体电子元件对于激光脉冲表现最大敏感性的位置，

对于高于最小能量值的激光能量，改变半导体电子元件的使用条 件的参数之一，以检测这个参数的阈值，超出该参数阈值会出现故障。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于

在半导体电子元件的板的支撑或防护物(5)中打开一个窗口 (15)，

由所述半导体电子元件的板的一个面激发所述半导体电子元件。

3.根据权利要求1或2的方法，其特征在于

将激光辐射在半导体电子元件中的不同深度处针对所关注的位 置聚焦。

4.根据权利要求1或2的方法，其特征在于

在所述激发期间保护所述半导体电子元件，

所述保护包括在半导体电子元件的偏置电路中设置保护电路。

5.根据权利要求1或2的方法，其特征在于

建立半导体电子元件中相互作用最强烈的所关注位置的图。

6.根据权利要求1或2的方法，其特征在于

逐步地改变激光的功率。

7.根据权利要求1或2的方法，其特征在于

激光源的激光光子能量高于半导体电子元件的半导体材料的禁带的数 值。

8.根据权利要求1或2的方法，其特征在于

激光源导致在半导体电子元件的半导体材料中同时吸收多个光 子。