[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，其包括：

第一导电型半导体层，所述第一导电型半导体层包括绝缘层和在 所述绝缘层之间的空隙，所述绝缘层以预定间隔隔开；

在所述第一导电型半导体层上的有源层；和

在所述有源层上的第二导电型半导体层，

其中所述第一导电型半导体层包括：在所述绝缘层下的第一氮化 物层；在所述绝缘层和所述第一氮化物层上的包括空隙的第二 氮化物层；和在所述第二氮化物层和所述有源层之间的第三氮 化物层，

在所述第一氮化物层上的第一电极层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述绝缘层包括具 有随机尺寸和不规则间隔的突起，并且所述空隙设置在所述绝缘 层的一些突起之间。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述绝缘层包括 MgN层。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述绝缘层包括掺 杂有n型掺杂剂和p型掺杂剂的氮化物半导体。

5.根据权利要求1到4任一项所述的半导体发光器件，还包括在所 述第一导电型半导体层下的衬底、缓冲层和未掺杂的半导体层中 的至少其一。

6.根据权利要求1到4任一项所述的半导体发光器件，包括形成在 所述第二导电型半导体层上的第二电极层。

7.根据权利要求1到4任一项所述的半导体发光器件，其中第二氮 化物层的位错密度小于所述第一氮化物层的位错密度。

8.一种半导体发光器件，包括：

第一导电型半导体层，所述第一导电型半导体层包括形成有第一 电极层的第一氮化物层和包括空隙的第二氮化物层；

在所述第二氮化物层上的有源层；

在所述有源层上的第二导电型半导体层，和

在所述第一氮化物层上的具有预定间隔的绝缘层，

其中所述空隙设置在所述绝缘层之间。

9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，包括形成在所述第一导 电型半导体层下的衬底、和形成在所述第二导电型半导体层上的 第二电极层。

10.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其包括在所述第二氮化 物层和所述有源层之间的第三氮化物层，其中所述第一至第三氮 化物层包括n型半导体层。

11.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中所述绝缘层阻挡施 加到所述第一氮化物层的电压，所述第二氮化物层通过所述空隙 的隧道效应接收所述第一氮化物层的电压。

12.根据权利要求8到11任一项所述的半导体发光器件，其中所述 绝缘层包括具有突起形状的MgN层，并且所述MgN层的每一 个突起具有约0.0001μm至约1μm的厚度和约～约3μm的 间距。

13.一种制造半导体发光器件的方法，其包括：

形成包括绝缘层和在所述绝缘层之间的空隙的第一导电型半导体 层；

在所述第一导电型半导体层上形成有源层；和

在所述有源层上形成第二导电型半导体层，

其中形成所述第一导电型半导体层包括：

形成第一氮化物层；

在所述第一氮化物层上形成以预定间隔隔开的所述绝缘层；

在所述绝缘层和所述第一氮化物层上形成第二氮化物层的同时在 所述绝缘层之间形成空隙；和

在所述第二氮化物层上形成第三氮化物层，

其中形成与所述第一氮化物层接触的第一电极层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一导电型半导体层形成 在衬底、缓冲层、和未掺杂的半导体层中的至少其一上。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述绝缘层包括MgN层或 掺杂有n型掺杂剂和p型掺杂剂的氮化物半导体。