[发明专利]磁记录介质和磁记录再生装置无效
申请号: | 200880105480.0 | 申请日: | 2008-09-02 |
公开(公告)号: | CN101796581A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 佐々木有三 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | G11B5/738 | 分类号: | G11B5/738;G11B5/65 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 介质 再生 装置 | ||
1.一种磁记录介质,是在非磁性基板上至少具有衬里层和取向控制层、磁记录层以及保护层的垂直磁记录介质,其特征在于,取向控制层由两层以上构成,且从基板侧包含种子层和中间层,作为种子层材料含有5原子%~25原子%的范围内的在相图上的相对于具有面心立方结构的元素的固溶区域为1原子%以下的元素。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,上述具有面心立方结构的元素是选自Cu、Ag和Au中的任一种元素,种子层含有30原子%以上的该元素。
3.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,上述在相图上的固溶区域为1原子%以下的元素是具有体心立方结构的元素。
4.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,上述在相图上的固溶区域为1原子%以下的元素是选自V、Nb、Ta、Cr、Mo和W中的任一种元素。
5.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,上述种子层的膜厚为3nm~12nm的范围内。
6.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,上述中间层的至少一层由Ru、Re或其合金材料形成,并且具有六方最密结构。
7.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,上述磁记录层的至少一层采取由铁磁性晶粒和非磁性的氧化物晶界构成的颗粒结构。
8.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,上述磁记录层的平均晶体粒径为1nm~7nm的范围内。
9.一种磁记录再生装置,是具有磁记录介质和对该磁记录介质记录再生信息的磁头的磁记录再生装置,其特征在于,磁记录介质是权利要求1所述的磁记录介质。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社,未经昭和电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880105480.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:磁性零件
- 下一篇:驱动装置、驱动方法、及等离子体显示装置